SIA408DJ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SIA408DJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
Тип корпуса: SC-70-6L
Аналог (замена) для SIA408DJ
SIA408DJ Datasheet (PDF)
sia408dj.pdf

SiA408DJVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.036 at VGS = 10 V 4.5 New Thermally Enhanced PowerPAK30 0.039 at VGS = 4.5 V 4.5 7 nCSC-70 Package0.053 at VGS = 2.5 V 4.5- Small Footprint Area Compliant to
sia400edj.pdf

New ProductSiA400EDJVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.019 at VGS = 4.5 V RoHS12 New Thermally Enhanced PowerPAK COMPLIANT30 11.60.025 at VGS = 2.5 V 12SC-70 Package- Small Footprint Area Typic
sia406dj.pdf

New ProductSiA406DJVishay SiliconixN-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0198 at VGS = 4.5 V 4.5 TrenchFET Power MOSFET0.0222 at VGS = 2.5 V 12 4.5 13.7 nC New Thermally Enhanced PowerPAK0.0264 at VGS = 1.8 V SC-70 Package4.5- Small Footprint
Другие MOSFET... SHDC220455 , SHDC224701 , SHDC225456 , SHDC225509 , SHDCG225715 , SHDG225509 , SIA400EDJ , SIA406DJ , IRF1010E , SIA411DJ , SIA413ADJ , SIA413DJ , SIA414DJ , SIA415DJ , SIA416DJ , SIA417DJ , SIA418DJ .
History: IPT60R065S7 | AP9960GJ | FDG313ND87Z | NCEP02590T | NCEP033N10M | APT50M50PVR
History: IPT60R065S7 | AP9960GJ | FDG313ND87Z | NCEP02590T | NCEP033N10M | APT50M50PVR



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2sc485 | 2sd287 | 2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869