SIA417DJ - аналоги и даташиты транзистора

 

SIA417DJ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SIA417DJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: SC-70-6L
 

 Аналог (замена) для SIA417DJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA417DJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:93K  vishay
 sia417dj.pdf pdf_icon

SIA417DJ

New ProductSiA417DJVishay SiliconixP-Channel 8-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.023 at VGS = - 4.5 V - 12a New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS0.031 at VGS = - 2.5 V - 12a COMPLIANTSC-70 Package0.040 at VGS = - 1.8 V - 8 - Small Footprint Area- 12a 19 nC- Low On-Res

 9.1. Size:211K  vishay
 sia413dj.pdf pdf_icon

SIA417DJ

SiA413DJVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) New Thermally Enhanced PowerPAKSC-70 Package0.029 at VGS = - 4.5 V - 12a- Small Footprint Area0.034 at VGS = - 2.5 V - 12a- Low On-Resistance- 12 23 nC0.044 at VGS = - 1.8 V - 12a Material categorization:0.1

 9.2. Size:193K  vishay
 sia418dj.pdf pdf_icon

SIA417DJ

SiA418DJVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested0.018 at VGS = 10 V Material categorization:1230 5 nCFor definitions of compliance please see0.022 at VGS = 4.5 V 12www.vishay.com/doc?99912PowerPAK SC-70-6L-SingleAPPLICATIONS DC/DC

 9.3. Size:203K  vishay
 sia414dj.pdf pdf_icon

SIA417DJ

SiA414DJVishay SiliconixN-Channel 8-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET New Thermally Enhanced PowerPAKVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)SC-70 Package0.011 at VGS = 4.5 V 12- Small Footprint Area Material categorization:0.013 at VGS = 2.5 V 12For definitions of compliance please see0.016 at VGS = 1.8 V 8 12 19 nC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIA406DJ , SIA408DJ , SIA411DJ , SIA413ADJ , SIA413DJ , SIA414DJ , SIA415DJ , SIA416DJ , NCEP15T14 , SIA418DJ , SIA419DJ , SIA421DJ , SIA425EDJ , SIA426DJ , SIA427ADJ , SIA427DJ , SIA429DJT .

 

 
Back to Top

 


 
.