SIA418DJ datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SIA418DJ 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 126 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: SC-70-6L
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SIA418DJ
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SIA418DJ даташит
sia418dj.pdf
SiA418DJ Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested 0.018 at VGS = 10 V Material categorization 12 30 5 nC For definitions of compliance please see 0.022 at VGS = 4.5 V 12 www.vishay.com/doc?99912 PowerPAK SC-70-6L-Single APPLICATIONS DC/DC
sia413dj.pdf
SiA413DJ Vishay Siliconix P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) New Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 Package 0.029 at VGS = - 4.5 V - 12a - Small Footprint Area 0.034 at VGS = - 2.5 V - 12a - Low On-Resistance - 12 23 nC 0.044 at VGS = - 1.8 V - 12a Material categorization 0.1
sia414dj.pdf
SiA414DJ Vishay Siliconix N-Channel 8-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET New Thermally Enhanced PowerPAK VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) SC-70 Package 0.011 at VGS = 4.5 V 12 - Small Footprint Area Material categorization 0.013 at VGS = 2.5 V 12 For definitions of compliance please see 0.016 at VGS = 1.8 V 8 12 19 nC
sia417dj.pdf
New Product SiA417DJ Vishay Siliconix P-Channel 8-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.023 at VGS = - 4.5 V - 12a New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 0.031 at VGS = - 2.5 V - 12a COMPLIANT SC-70 Package 0.040 at VGS = - 1.8 V - 8 - Small Footprint Area - 12a 19 nC - Low On-Res
Другие IGBT... SIA408DJ, SIA411DJ, SIA413ADJ, SIA413DJ, SIA414DJ, SIA415DJ, SIA416DJ, SIA417DJ, AON7506, SIA419DJ, SIA421DJ, SIA425EDJ, SIA426DJ, SIA427ADJ, SIA427DJ, SIA429DJT, SIA430DJ
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
tip29 transistor equivalent | 2n555 | 2sa564a | c815 transistor | ksa1381 equivalent | 2sa1306 | b817 transistor | 2n3394









