SIA527DJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIA527DJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm

Тип корпуса: SC-70-6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SIA527DJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA527DJ даташит

 ..1. Size:323K  vishay
 sia527dj.pdf pdf_icon

SIA527DJ

SiA527DJ Vishay Siliconix N- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETs VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK 0.029 at VGS = 4.5 V SC-70 Package 4.5a - Small Footprint Area 0.034 at VGS = 2.5 V 4.5a N-Channel 12 5.6 nC - Low On-Resistance 0.044 at VGS = 1.8 V 4.5a 100 % Rg Tested 0.0

Другие IGBT... SIA456DJ, SIA459EDJ, SIA461DJ, SIA462DJ, SIA466EDJ, SIA483DJ, SIA485DJ, SIA519EDJ, AON7403, SIA533EDJ, SIA537EDJ, SIA810DJ, SIA811ADJ, SIA811DJ, SIA813DJ, SIA814DJ, SIA817EDJ