Справочник MOSFET. SIA527DJ

 

SIA527DJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIA527DJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
   Тип корпуса: SC-70-6
 

 Аналог (замена) для SIA527DJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA527DJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:323K  vishay
 sia527dj.pdf pdf_icon

SIA527DJ

SiA527DJVishay SiliconixN- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK 0.029 at VGS = 4.5 V SC-70 Package4.5a- Small Footprint Area0.034 at VGS = 2.5 V 4.5aN-Channel 12 5.6 nC- Low On-Resistance0.044 at VGS = 1.8 V 4.5a 100 % Rg Tested0.0

Другие MOSFET... SIA456DJ , SIA459EDJ , SIA461DJ , SIA462DJ , SIA466EDJ , SIA483DJ , SIA485DJ , SIA519EDJ , EMB04N03H , SIA533EDJ , SIA537EDJ , SIA810DJ , SIA811ADJ , SIA811DJ , SIA813DJ , SIA814DJ , SIA817EDJ .

History: SPA17N80C3 | NCE60NF730D | FDZ294N | BUK127-50DL | NCE60N370K | FDZ291P | UTT65P04

 

 
Back to Top

 


 
.