Справочник MOSFET. SIA527DJ

 

SIA527DJ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SIA527DJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.9 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 12 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 9.7 nC
   Время нарастания (tr): 10 ns
   Выходная емкость (Cd): 160 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.029 Ohm
   Тип корпуса: SC-70-6

 Аналог (замена) для SIA527DJ

 

 

SIA527DJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:323K  vishay
 sia527dj.pdf

SIA527DJ SIA527DJ

SiA527DJVishay SiliconixN- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK 0.029 at VGS = 4.5 V SC-70 Package4.5a- Small Footprint Area0.034 at VGS = 2.5 V 4.5aN-Channel 12 5.6 nC- Low On-Resistance0.044 at VGS = 1.8 V 4.5a 100 % Rg Tested0.0

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top