SIA810DJ - аналоги и даташиты транзистора

 

SIA810DJ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SIA810DJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.053 Ohm
   Тип корпуса: SC-70-6
 

 Аналог (замена) для SIA810DJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA810DJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  vishay
 sia810dj.pdf pdf_icon

SIA810DJ

New ProductSiA810DJVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Trench Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET0.053 at VGS = 4.5 V 4.5 New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS20 0.063 at VGS = 2.5 V 4.5 4.1 nCCOMPLIANTSC-70 Package0.077 at VGS = 1.8 V 4.5- Sma

 9.1. Size:319K  vishay
 sia817edj.pdf pdf_icon

SIA810DJ

New ProductSiA817EDJVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFETQg Thermally Enhanced PowerPAKVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)(Typ.)SC-70 Package0.065 at VGS = - 10 V - 4.5a- Small Footprint Area0.080 at VGS = - 4.5 V - 4.5a- Low On-Resistance- 300.092 at VGS = - 3.7

 9.2. Size:213K  vishay
 sia811dj.pdf pdf_icon

SIA810DJ

New ProductSiA811DJVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) () Qg ID (A)a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET0.094 at VGS = - 4.5 V - 4.5RoHS New Thermally Enhanced PowerPAKCOMPLIANT- 20 0.131 at VGS = - 2.5 V 4.9 nC- 4.5SC-70 Package0.185 at VGS = - 1.8 V - 4.5

 9.3. Size:208K  vishay
 sia811.pdf pdf_icon

SIA810DJ

New ProductSiA811ADJVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) () Qg ID (A)a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET0.116 at VGS = - 4.5 V - 4.5 New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS- 20 0.155 at VGS = - 2.5 V 4.9 nC- 4.5COMPLIANTSC-70 Package0.205 at VGS = - 1.8 V - 4.5

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIA462DJ , SIA466EDJ , SIA483DJ , SIA485DJ , SIA519EDJ , SIA527DJ , SIA533EDJ , SIA537EDJ , AON7403 , SIA811ADJ , SIA811DJ , SIA813DJ , SIA814DJ , SIA817EDJ , SIA850DJ , SIA906EDJ , SIA907EDJT .

History: SPI07N60C3 | IPB60R080P7 | STT2PF60L

 

 
Back to Top

 


 
.