SIA813DJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIA813DJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.094 Ohm

Тип корпуса: SC-70-6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SIA813DJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA813DJ даташит

 ..1. Size:309K  vishay
 sia813dj.pdf pdf_icon

SIA813DJ

New Product SiA813DJ Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Qg ID (A)a Definition 0.094 at VGS = - 4.5 V - 4.5 LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET - 20 0.131 at VGS = - 2.5 V - 4.5 4.9 nC New Thermally Enhanced PowerPAK 0.185 at VGS = - 1.8 V -

 9.1. Size:213K  vishay
 sia810dj.pdf pdf_icon

SIA813DJ

New Product SiA810DJ Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Trench Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A)a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET 0.053 at VGS = 4.5 V 4.5 New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 20 0.063 at VGS = 2.5 V 4.5 4.1 nC COMPLIANT SC-70 Package 0.077 at VGS = 1.8 V 4.5 - Sma

 9.2. Size:319K  vishay
 sia817edj.pdf pdf_icon

SIA813DJ

New Product SiA817EDJ Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET Qg Thermally Enhanced PowerPAK VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) (Typ.) SC-70 Package 0.065 at VGS = - 10 V - 4.5a - Small Footprint Area 0.080 at VGS = - 4.5 V - 4.5a - Low On-Resistance - 30 0.092 at VGS = - 3.7

 9.3. Size:213K  vishay
 sia811dj.pdf pdf_icon

SIA813DJ

New Product SiA811DJ Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) Qg ID (A)a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET 0.094 at VGS = - 4.5 V - 4.5 RoHS New Thermally Enhanced PowerPAK COMPLIANT - 20 0.131 at VGS = - 2.5 V 4.9 nC - 4.5 SC-70 Package 0.185 at VGS = - 1.8 V - 4.5

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIA485DJ, SIA519EDJ, SIA527DJ, SIA533EDJ, SIA537EDJ, SIA810DJ, SIA811ADJ, SIA811DJ, AO4407A, SIA814DJ, SIA817EDJ, SIA850DJ, SIA906EDJ, SIA907EDJT, SIA910EDJ, SIA911ADJ, SIA913ADJ