Справочник MOSFET. SIA921EDJ

 

SIA921EDJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIA921EDJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.059 Ohm
   Тип корпуса: SC-70-6
 

 Аналог (замена) для SIA921EDJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA921EDJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  vishay
sia921edj.pdfpdf_icon

SIA921EDJ

SiA921EDJVishay SiliconixDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 0.059 at VGS = - 4.5 V Package- 4.5a- 20 4.9 nC- Small Footprint Area0.098 at VGS = - 2.5 V - 4.5a- Low On-Resistance Typical ESD Protection: 1700 VPowerPAK SC-70-6 Dual

 6.1. Size:212K  vishay
sia921ed.pdfpdf_icon

SIA921EDJ

SiA921EDJVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.059 at VGS = - 4.5 V - 4.5a- 20 4.9 nC New Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 0.098 at VGS = - 2.5 V - 4.5aPackage- Small Footprint Area- Low On-Resistance

 9.1. Size:277K  vishay
sia922edj.pdfpdf_icon

SIA921EDJ

SiA922EDJwww.vishay.comVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Thermally enhanced PowerPAK SC-70 package0.064 at VGS = 4.5 V 4.5a- Small footprint area- Low on-resistance0.072 at VGS = 3.0 V 4.5a30 3.5 nC Typical ESD protection: 1500 V (HBM)0.080 at

 9.2. Size:209K  vishay
sia923edj.pdfpdf_icon

SIA921EDJ

SiA923EDJVishay SiliconixDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.054 at VGS = - 4.5 V - 4.5a New Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 0.070 at VGS = - 2.5 V - 4.5aPackage- 20 9.5 nC0.104 at VGS = - 1.8 V - 4.5a - Small Fo

Другие MOSFET... SIA906EDJ , SIA907EDJT , SIA910EDJ , SIA911ADJ , SIA913ADJ , SIA914ADJ , SIA915DJ , SIA920DJ , 50N06 , SIA922EDJ , SIA923EDJ , SIA929DJ , SIA931DJ , SIA975DJ , SIB404DK , SIB406EDK , SIB408DK .

History: AM90N06-03B | STS8217 | DMN4026SSD

 

 
Back to Top

 


 
.