SIA929DJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIA929DJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm

Тип корпуса: SC-70-6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SIA929DJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA929DJ даташит

 ..1. Size:228K  vishay
 sia929dj.pdf pdf_icon

SIA929DJ

New Product SiA929DJ Vishay Siliconix Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Gen III Power MOSFET 0.064 at VGS = - 10 V - 4.5a Thermally Enhanced PowerPAK 0.078 at VGS = - 4.5 V - 30 - 4.5a 6.6 nC SC-70 Package 0.120 at VGS = - 2.5

 9.1. Size:277K  vishay
 sia922edj.pdf pdf_icon

SIA929DJ

SiA922EDJ www.vishay.com Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) Qg (TYP.) Thermally enhanced PowerPAK SC-70 package 0.064 at VGS = 4.5 V 4.5a - Small footprint area - Low on-resistance 0.072 at VGS = 3.0 V 4.5a 30 3.5 nC Typical ESD protection 1500 V (HBM) 0.080 at

 9.2. Size:209K  vishay
 sia923edj.pdf pdf_icon

SIA929DJ

SiA923EDJ Vishay Siliconix Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.054 at VGS = - 4.5 V - 4.5a New Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 0.070 at VGS = - 2.5 V - 4.5a Package - 20 9.5 nC 0.104 at VGS = - 1.8 V - 4.5a - Small Fo

 9.3. Size:212K  vishay
 sia921ed.pdf pdf_icon

SIA929DJ

SiA921EDJ Vishay Siliconix Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.059 at VGS = - 4.5 V - 4.5a - 20 4.9 nC New Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 0.098 at VGS = - 2.5 V - 4.5a Package - Small Footprint Area - Low On-Resistance

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIA911ADJ, SIA913ADJ, SIA914ADJ, SIA915DJ, SIA920DJ, SIA921EDJ, SIA922EDJ, SIA923EDJ, IRF640, SIA931DJ, SIA975DJ, SIB404DK, SIB406EDK, SIB408DK, SIB410DK, SIB411DK, SIB412DK