Справочник MOSFET. SIA929DJ

 

SIA929DJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIA929DJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm
   Тип корпуса: SC-70-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA929DJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:228K  vishay
sia929dj.pdfpdf_icon

SIA929DJ

New ProductSiA929DJVishay SiliconixDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Gen III Power MOSFET0.064 at VGS = - 10 V - 4.5a Thermally Enhanced PowerPAK0.078 at VGS = - 4.5 V - 30- 4.5a 6.6 nCSC-70 Package0.120 at VGS = - 2.5

 9.1. Size:277K  vishay
sia922edj.pdfpdf_icon

SIA929DJ

SiA922EDJwww.vishay.comVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Thermally enhanced PowerPAK SC-70 package0.064 at VGS = 4.5 V 4.5a- Small footprint area- Low on-resistance0.072 at VGS = 3.0 V 4.5a30 3.5 nC Typical ESD protection: 1500 V (HBM)0.080 at

 9.2. Size:209K  vishay
sia923edj.pdfpdf_icon

SIA929DJ

SiA923EDJVishay SiliconixDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.054 at VGS = - 4.5 V - 4.5a New Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 0.070 at VGS = - 2.5 V - 4.5aPackage- 20 9.5 nC0.104 at VGS = - 1.8 V - 4.5a - Small Fo

 9.3. Size:212K  vishay
sia921ed.pdfpdf_icon

SIA929DJ

SiA921EDJVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.059 at VGS = - 4.5 V - 4.5a- 20 4.9 nC New Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 0.098 at VGS = - 2.5 V - 4.5aPackage- Small Footprint Area- Low On-Resistance

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AP2530AGY-HF | STB18NF25 | IRFR3410TR | NTMD6P02R2 | BUZ54A | JCS7N65CE | CEK01N6G

 

 
Back to Top

 


 
.