SIA931DJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIA931DJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 8.5 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: SC-70-6

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SIA931DJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA931DJ даташит

 ..1. Size:268K  vishay
 sia931dj.pdf pdf_icon

SIA931DJ

SiA931DJ Vishay Siliconix Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen III Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 Package 0.065 at VGS = - 10 V - 4.5a - Small Footprint Area 0.080 at VGS = - 6 V - 30 - 4.5a 4.1 nC - Low On-Resistance 0.100 at VGS = - 4.5 V - 4.5a 100 % Rg Test

Другие IGBT... SIA913ADJ, SIA914ADJ, SIA915DJ, SIA920DJ, SIA921EDJ, SIA922EDJ, SIA923EDJ, SIA929DJ, IRF1404, SIA975DJ, SIB404DK, SIB406EDK, SIB408DK, SIB410DK, SIB411DK, SIB412DK, SIB413DK