Справочник MOSFET. SIA931DJ

 

SIA931DJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIA931DJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: SC-70-6
 

 Аналог (замена) для SIA931DJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA931DJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  vishay
 sia931dj.pdf pdf_icon

SIA931DJ

SiA931DJVishay SiliconixDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen III Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAKSC-70 Package0.065 at VGS = - 10 V - 4.5a- Small Footprint Area0.080 at VGS = - 6 V - 30- 4.5a 4.1 nC- Low On-Resistance0.100 at VGS = - 4.5 V - 4.5a 100 % Rg Test

Другие MOSFET... SIA913ADJ , SIA914ADJ , SIA915DJ , SIA920DJ , SIA921EDJ , SIA922EDJ , SIA923EDJ , SIA929DJ , IRF1404 , SIA975DJ , SIB404DK , SIB406EDK , SIB408DK , SIB410DK , SIB411DK , SIB412DK , SIB413DK .

History: VBE2102M | OSG80R380HF | QM3018D | HGN080N10SL | PD696BA | FQA11N90

 

 
Back to Top

 


 
.