SIB800EDK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SIB800EDK
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.225 Ohm
Тип корпуса: SC-75-6L
Аналог (замена) для SIB800EDK
SIB800EDK Datasheet (PDF)
sib800edk.pdf
New ProductSiB800EDKVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Trench Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET0.225 at VGS = 4.5 V 1.5 New Thermally Enhanced PowerPAK0.270 at VGS = 2.5 V 1.520 1.1 nC SC-75 Package0.345 at VGS = 1.8
sib800ed.pdf
New ProductSiB800EDKVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Trench Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET0.225 at VGS = 4.5 V 1.5 New Thermally Enhanced PowerPAK0.270 at VGS = 2.5 V 1.520 1.1 nC SC-75 Package0.345 at VGS = 1.8
Другие MOSFET... SIB433EDK , SIB437EDKT , SIB441EDK , SIB452DK , SIB455EDK , SIB456DK , SIB457EDK , SIB488DK , 5N60 , SIB911DK , SIB912DK , SIB914DK , SIE726DF , SIE800DF , SIE802DF , SIE804DF , SIE806DF .
History: SIB911DK
History: SIB911DK
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTE6888A | JMTE3003A | JMTE3002B | JMTE068N07A | JMTE060N06A | JMTE035N06D | JMTE035N04A | JMTE025N04D | JMTE018N03A | JMTD3134K | JMTD2N7002KS | JMSL1509PG | JMSL10A13P | JMSL10A13L | JMSL10A13K | JMSL1010PU
Popular searches
30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики