SIB800EDK datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIB800EDK  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 6 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.225 Ohm

Тип корпуса: SC-75-6L

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SIB800EDK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIB800EDK даташит

 ..1. Size:239K  vishay
 sib800edk.pdf pdf_icon

SIB800EDK

New Product SiB800EDK Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Trench Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A)a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET 0.225 at VGS = 4.5 V 1.5 New Thermally Enhanced PowerPAK 0.270 at VGS = 2.5 V 1.5 20 1.1 nC SC-75 Package 0.345 at VGS = 1.8

 6.1. Size:239K  vishay
 sib800ed.pdf pdf_icon

SIB800EDK

New Product SiB800EDK Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Trench Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A)a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET 0.225 at VGS = 4.5 V 1.5 New Thermally Enhanced PowerPAK 0.270 at VGS = 2.5 V 1.5 20 1.1 nC SC-75 Package 0.345 at VGS = 1.8

Другие IGBT... SIB433EDK, SIB437EDKT, SIB441EDK, SIB452DK, SIB455EDK, SIB456DK, SIB457EDK, SIB488DK, IRLB4132, SIB911DK, SIB912DK, SIB914DK, SIE726DF, SIE800DF, SIE802DF, SIE804DF, SIE806DF