SIE802DF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SIE802DF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 195 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0019 Ohm
Тип корпуса: POLARPAK
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SIE802DF Datasheet (PDF)
sie802df.pdf

SiE802DFVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)aDefinition TrenchFET Gen II Power MOSFETSilicon PackageVDS (V) RDS(on) ()e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top-Exposed PolarPAK Package for Double-Sided0.0019 at VGS = 10 V 202 60Cooling30 50 nC0.002
sie806df.pdf

SiE806DFVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)DefinitionSilicon Package TrenchFET Gen II Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0017 at VGS = 10 V Exposed PolarPAK Package for Double-Sided202 6030 75 nCCooling0.0021
sie808df.pdf

SiE808DFVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)aDefinition TrenchFET Gen II Power MOSFETSilicon PackageVDS (V) RDS(on) ()e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top-Exposed PolarPAK Package for Double-0.0016 at VGS = 10 V 220 60Sided Cooling20 46 nC0.0
sie800df.pdf

SiE800DFVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)aDefinitionSilicon Package Extremely Low Qgd for Low Switching LossesVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)Limit Limit TrenchFET Power MOSFET Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0072 at VGS = 10 V 905030 12 nCExposed PolarPAK P
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: GSM5606 | 2SK247 | NDT6N70 | PJE8400 | HGN070N12SL | IPD50R280CE | PMZB790SN
History: GSM5606 | 2SK247 | NDT6N70 | PJE8400 | HGN070N12SL | IPD50R280CE | PMZB790SN



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet