SIE802DF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIE802DF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 195 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0019 Ohm

Тип корпуса: POLARPAK

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SIE802DF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIE802DF даташит

 ..1. Size:187K  vishay
 sie802df.pdf pdf_icon

SIE802DF

SiE802DF Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)a Definition TrenchFET Gen II Power MOSFET Silicon Package VDS (V) RDS(on) ( )e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top- Exposed PolarPAK Package for Double-Sided 0.0019 at VGS = 10 V 202 60 Cooling 30 50 nC 0.002

 9.1. Size:187K  vishay
 sie806df.pdf pdf_icon

SIE802DF

SiE806DF Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A) Definition Silicon Package TrenchFET Gen II Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top- 0.0017 at VGS = 10 V Exposed PolarPAK Package for Double-Sided 202 60 30 75 nC Cooling 0.0021

 9.2. Size:187K  vishay
 sie808df.pdf pdf_icon

SIE802DF

SiE808DF Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)a Definition TrenchFET Gen II Power MOSFET Silicon Package VDS (V) RDS(on) ( )e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top- Exposed PolarPAK Package for Double- 0.0016 at VGS = 10 V 220 60 Sided Cooling 20 46 nC 0.0

 9.3. Size:164K  vishay
 sie800df.pdf pdf_icon

SIE802DF

SiE800DF Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 ID (A)a Definition Silicon Package Extremely Low Qgd for Low Switching Losses VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) Limit Limit TrenchFET Power MOSFET Ultra Low Thermal Resistance Using Top- 0.0072 at VGS = 10 V 90 50 30 12 nC Exposed PolarPAK P

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIB457EDK, SIB488DK, SIB800EDK, SIB911DK, SIB912DK, SIB914DK, SIE726DF, SIE800DF, SKD502T, SIE804DF, SIE806DF, SIE808DF, SIE810DF, SIE812DF, SIE816DF, SIE818DF, SIE820DF