Справочник MOSFET. SIE802DF

 

SIE802DF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIE802DF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 195 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0019 Ohm
   Тип корпуса: POLARPAK
 

 Аналог (замена) для SIE802DF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIE802DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  vishay
 sie802df.pdf pdf_icon

SIE802DF

SiE802DFVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)aDefinition TrenchFET Gen II Power MOSFETSilicon PackageVDS (V) RDS(on) ()e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top-Exposed PolarPAK Package for Double-Sided0.0019 at VGS = 10 V 202 60Cooling30 50 nC0.002

 9.1. Size:187K  vishay
 sie806df.pdf pdf_icon

SIE802DF

SiE806DFVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)DefinitionSilicon Package TrenchFET Gen II Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0017 at VGS = 10 V Exposed PolarPAK Package for Double-Sided202 6030 75 nCCooling0.0021

 9.2. Size:187K  vishay
 sie808df.pdf pdf_icon

SIE802DF

SiE808DFVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)aDefinition TrenchFET Gen II Power MOSFETSilicon PackageVDS (V) RDS(on) ()e Limit Limit Qg (Typ.) Ultra Low Thermal Resistance Using Top-Exposed PolarPAK Package for Double-0.0016 at VGS = 10 V 220 60Sided Cooling20 46 nC0.0

 9.3. Size:164K  vishay
 sie800df.pdf pdf_icon

SIE802DF

SiE800DFVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21ID (A)aDefinitionSilicon Package Extremely Low Qgd for Low Switching LossesVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)Limit Limit TrenchFET Power MOSFET Ultra Low Thermal Resistance Using Top-0.0072 at VGS = 10 V 905030 12 nCExposed PolarPAK P

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIB457EDK , SIB488DK , SIB800EDK , SIB911DK , SIB912DK , SIB914DK , SIE726DF , SIE800DF , IRF9540N , SIE804DF , SIE806DF , SIE808DF , SIE810DF , SIE812DF , SIE816DF , SIE818DF , SIE820DF .

History: PSMN5R0-100PS | MMQ60R115PTH | AFN08N50T220T | VBE1638 | IRF540ZSPBF | IRFS621

 

 
Back to Top

 


 
.