SIHA15N60E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHA15N60E  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: TO-220FP

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SIHA15N60E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHA15N60E даташит

 ..1. Size:170K  vishay
 siha15n60e.pdf pdf_icon

SIHA15N60E

SiHA15N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 650 Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.28 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 76 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 11 Avalanche energy rated (UIS) Qgd (nC) 17

 7.1. Size:164K  vishay
 siha15n50e.pdf pdf_icon

SIHA15N60E

SiHA15N50E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 550 Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.243 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 66 Low gate charge (Qg) Qgs (nC) 8 Avalanche energy rated (UIS) Qgd (nC) 14 Materi

 9.1. Size:141K  vishay
 siha11n80e.pdf pdf_icon

SIHA15N60E

SiHA11N80E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES D Thin-Lead TO-220 FULLPAK Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss) Reduced switching and conduction losses G Ultra low gate charge (Qg) Avalanche energy rated (UIS) Material categorization for definitions of compliance S please see www.vishay.com/doc?99912

 9.2. Size:171K  vishay
 siha12n60e.pdf pdf_icon

SIHA15N60E

SiHA12N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 650 Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.38 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 58 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 6 Avalanche energy rated (UIS) Qgd (nC) 13 M

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIE868DF, SIE874DF, SIE876DF, SIE878DF, SIE882DF, SIHA12N50E, SIHA12N60E, SIHA15N50E, STP65NF06, SIHA20N50E, SIHA22N60E, SIHA25N50E, SIHB10N40D, SIHB12N50C, SIHB12N50E, SIHB12N60E, SIHB12N65E