Справочник MOSFET. SIHA15N60E

 

SIHA15N60E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHA15N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHA15N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  vishay
 siha15n60e.pdf pdf_icon

SIHA15N60E

SiHA15N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 650 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.28 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 76 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 11 Avalanche energy rated (UIS)Qgd (nC) 17

 7.1. Size:164K  vishay
 siha15n50e.pdf pdf_icon

SIHA15N60E

SiHA15N50Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 550 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.243 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 66 Low gate charge (Qg)Qgs (nC) 8 Avalanche energy rated (UIS)Qgd (nC) 14 Materi

 9.1. Size:141K  vishay
 siha11n80e.pdf pdf_icon

SIHA15N60E

SiHA11N80Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESDThin-Lead TO-220 FULLPAK Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss) Reduced switching and conduction lossesG Ultra low gate charge (Qg) Avalanche energy rated (UIS) Material categorization: for definitions of compliance Splease see www.vishay.com/doc?99912

 9.2. Size:171K  vishay
 siha12n60e.pdf pdf_icon

SIHA15N60E

SiHA12N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 650 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.38 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 58 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 6 Avalanche energy rated (UIS)Qgd (nC) 13 M

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: AONU32320 | YTF840 | BSS138A | AP4N4R2H | STF20NM60D | 2SJ542

 

 
Back to Top

 


 
.