SIHB12N50E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHB12N50E  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO-263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SIHB12N50E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHB12N50E даташит

 ..1. Size:200K  vishay
 sihb12n50e.pdf pdf_icon

SIHB12N50E

SiHB12N50E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 550 Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.380 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 50 Low gate charge (Qg) Qgs (nC) 6 Avalanche energy rated (UIS) Qgd (nC) 10 Materi

 5.1. Size:154K  vishay
 sihp12n50c sihb12n50c sihf12n50c.pdf pdf_icon

SIHB12N50E

SiHP12N50C, SiHB12N50C, SiHF12N50C Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 560 V RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.555 100 % Avalanche Tested Qg (Max.) (nC) 48 Gate Charge Improved Qgs (nC) 12 Trr/Qrr Improved Qgd (nC) 15 Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC TO-220AB TO-220 FULLPAK

 5.2. Size:179K  vishay
 sihb12n50c sihf12n50c sihp12n50c.pdf pdf_icon

SIHB12N50E

SiHP12N50C, SiHB12N50C, SiHF12N50C Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 560 V RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.555 100 % Avalanche Tested Qg (Max.) (nC) 48 Gate Charge Improved Qgs (nC) 12 Trr/Qrr Improved Qgd (nC) 15 Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC TO-220AB TO-220 FULLPAK

 7.1. Size:150K  vishay
 sihb12n65e.pdf pdf_icon

SIHB12N50E

SiHB12N65E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 700 Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.38 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 70 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 9 Avalanche energy rated (UIS) Qgd (nC) 16 M

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIHA12N60E, SIHA15N50E, SIHA15N60E, SIHA20N50E, SIHA22N60E, SIHA25N50E, SIHB10N40D, SIHB12N50C, AO3407, SIHB12N60E, SIHB12N65E, SIHB15N50E, SIHB15N60E, SIHB15N65E, SIHB16N50C, SIHB20N50E, SIHB22N60E