Справочник MOSFET. SIHD3N50DA

 

SIHD3N50DA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHD3N50DA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SIHD3N50DA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHD3N50DA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  vishay
 sihd3n50da.pdf pdf_icon

SIHD3N50DA

SiHD3N50DAwww.vishay.comVishay SiliconixD Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Optimal designVDS (V) at TJ max. 550- Low area specific on-resistanceRDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 3.2- Low input capacitance (Ciss)Qg (max.) (nC) 12- Reduced capacitive switching lossesQgs (nC) 2- High body diode ruggednessQgd (nC) 3- Avalanche energy rated (UIS)Co

 5.1. Size:198K  vishay
 sihd3n50d.pdf pdf_icon

SIHD3N50DA

SiHD3N50Dwww.vishay.comVishay SiliconixD Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Optimal DesignVDS (V) at TJ max. 550- Low Area Specific On-ResistanceRDS(on) max. () at 25 C VGS = 10 V 3.2 - Low Input Capacitance (Ciss)Qg (max.) (nC) 20- Reduced Capacitive Switching Losses- High Body Diode RuggednessQgs (nC) 3Available- Avalanche Energy Rated (UIS)Qgd

Другие MOSFET... SIHB28N60EF , SIHB30N60E , SIHB33N60E , SIHB33N60EF , SIHB6N65E , SIHB8N50D , SIHD12N50E , SIHD3N50D , AO3407 , SIHD5N50D , SIHD6N62E , SIHD6N65E , SIHD7N60E , SIHF10N40D , SIHF12N50C , SIHF12N60E , SIHF12N65E .

History: SST90R1K5S | IXFB300N10P | STB13NK60ZT4 | RUH1H150S | NCE8601B | NTMFS6D1N08H | IPI051N15N5

 

 
Back to Top

 


 
.