Справочник MOSFET. SIHD5N50D

 

SIHD5N50D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHD5N50D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SIHD5N50D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHD5N50D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  vishay
 sihd5n50d.pdf pdf_icon

SIHD5N50D

SiHD5N50Dwww.vishay.comVishay SiliconixD Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Optimal DesignVDS (V) at TJ max. 550- Low Area Specific On-ResistanceRDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 1.5 - Low Input Capacitance (Ciss)Qg (max.) (nC) 20- Reduced Capacitive Switching Losses- High Body Diode RuggednessQgs (nC) 3Available- Avalanche Energy Rated (UIS)Qgd

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AOP609

 

 
Back to Top

 


 
.