SIHD6N62E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHD6N62E  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 620 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 36 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SIHD6N62E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHD6N62E даташит

 ..1. Size:233K  vishay
 sihd6n62e.pdf pdf_icon

SIHD6N62E

SiHD6N62E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 700 Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.9 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 34 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 4 Avalanche energy rated (UIS) Qgd (nC) 8 Mate

 7.1. Size:195K  vishay
 sihd6n65e.pdf pdf_icon

SIHD6N62E

SiHD6N65E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 700 Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.6 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 48 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 6 Avalanche energy rated (UIS) Qgd (nC) 11 Mat

Другие IGBT... SIHB33N60E, SIHB33N60EF, SIHB6N65E, SIHB8N50D, SIHD12N50E, SIHD3N50D, SIHD3N50DA, SIHD5N50D, IRFP064N, SIHD6N65E, SIHD7N60E, SIHF10N40D, SIHF12N50C, SIHF12N60E, SIHF12N65E, SIHF15N60E, SIHF15N65E