SIHF22N60E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHF22N60E  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO-220FP

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SIHF22N60E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHF22N60E даташит

 ..1. Size:165K  vishay
 sihf22n60e.pdf pdf_icon

SIHF22N60E

SiHF22N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 650 Low Input Capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.18 Reduced Switching and Conduction Losses Qg max. (nC) 86 Ultra Low Gate Charge (Qg) Qgs (nC) 14 Avalanche Energy Rated (UIS) Qgd (nC) 26

 5.1. Size:165K  vishay
 sihf22n60s.pdf pdf_icon

SIHF22N60E

SiHF22N60S www.vishay.com Vishay Siliconix S Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Generation One VDS at TJ max. (V) 650 High EAR Capability RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.190 Lower Figure-of-Merit Ron x Qg Qg max. (nC) 98 100 % Avalanche Tested Qgs (nC) 17 Qgd (nC) 25 Ultra Low Ron Configuration Single dV/dt Ruggedness Ultra Low G

 6.1. Size:163K  vishay
 sihf22n65e.pdf pdf_icon

SIHF22N60E

SiHF22N65E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 700 Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.18 Reduced switching and conduction losses Available Qg max. (nC) 110 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 15 Avalanche energy rated (UIS) Availa

 9.1. Size:167K  vishay
 sihf23n60e.pdf pdf_icon

SIHF22N60E

SiHF23N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 650 Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.158 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 95 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 16 Qgd (nC) 25 Avalanche energy rated (UIS) Con

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIHF12N50C, SIHF12N60E, SIHF12N65E, SIHF15N60E, SIHF15N65E, SIHF16N50C, SIHF18N50C, SIHF18N50D, IRFB4110, SIHF22N60S, IRF7404PBF-1, IRF7404QPBF, IRF7404PBF, IRF7406GPBF, IRF7406PBF, IRF7406PBF-1, IRF740ALPBF