Справочник MOSFET. SIHF22N60E

 

SIHF22N60E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SIHF22N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 57 nC
   trⓘ - Время нарастания: 68 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP

 Аналог (замена) для SIHF22N60E

 

 

SIHF22N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:165K  vishay
 sihf22n60e.pdf

SIHF22N60E SIHF22N60E

SiHF22N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 650 Low Input Capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.18 Reduced Switching and Conduction LossesQg max. (nC) 86 Ultra Low Gate Charge (Qg)Qgs (nC) 14 Avalanche Energy Rated (UIS)Qgd (nC) 26

 5.1. Size:165K  vishay
 sihf22n60s.pdf

SIHF22N60E SIHF22N60E

SiHF22N60Swww.vishay.comVishay SiliconixS Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Generation OneVDS at TJ max. (V) 650 High EAR CapabilityRDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.190 Lower Figure-of-Merit Ron x QgQg max. (nC) 98 100 % Avalanche TestedQgs (nC) 17Qgd (nC) 25 Ultra Low RonConfiguration Single dV/dt Ruggedness Ultra Low G

 6.1. Size:163K  vishay
 sihf22n65e.pdf

SIHF22N60E SIHF22N60E

SiHF22N65Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 700 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.18 Reduced switching and conduction lossesAvailableQg max. (nC) 110 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 15 Avalanche energy rated (UIS)Availa

 9.1. Size:167K  vishay
 sihf23n60e.pdf

SIHF22N60E SIHF22N60E

SiHF23N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 650 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.158 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 95 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 16Qgd (nC) 25 Avalanche energy rated (UIS)Con

 9.2. Size:156K  vishay
 sihf28n60ef.pdf

SIHF22N60E SIHF22N60E

SiHF28N60EFwww.vishay.comVishay SiliconixEF Series Power MOSFET with Fast Body DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Fast body diode MOSFET using E series VDS (V) at TJ max. 650 technology Reduced trr, Qrr, and IRRMRDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.123 Low figure-of-merit (FOM): Ron x QgQg (Max.) (nC) 120 Low input capacitance (Ciss)Qgs (nC) 17 Low switc

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top