IRF7406PBF-1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRF7406PBF-1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
Тип корпуса: SO-8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IRF7406PBF-1 Datasheet (PDF)
irf7406pbf-1.pdf

IRF7406TRPbF-1HEXFET Power MOSFETVDS -30 VA1 8S DRDS(on) max 0.045 2 7(@V = -10V) S DGSQg (max) 59 nC 3 6S DID 45G D-5.8 A(@T = 25C)ASO-8Top ViewFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoHS Compliant, Halogen-Free Environment
irf7406pbf.pdf

PD - 95302IRF7406PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-ResistanceA1 8l P-Channel Mosfet S DVDSS = -30V2 7l Surface MountS Dl Available in Tape & Reel3 6S Dl Dynamic dv/dt Rating4 5G DRDS(on) = 0.045l Fast Switchingl Lead-FreeTop ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced proces
irf7406gpbf.pdf

PD -96259IRF7406GPbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-ResistanceAl P-Channel Mosfet1 8S Dl Surface MountVDSS = -30V2 7S Dl Available in Tape & Reell Dynamic dv/dt Rating 3 6S Dl Fast Switching4 5G Dl Lead-FreeRDS(on) = 0.045l Halogen-FreeTop ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize
irf7406.pdf

PD - 9.1247CIRF7406PRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Generation V TechnologyA1 8 Ultra Low On-Resistance S DVDSS = -30V2 7 P-Channel MosfetS D Surface Mount3 6S D Available in Tape & Reel4 5G DRDS(on) = 0.045 Dynamic dv/dt Rating Fast SwitchingTop V iewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing te
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: APL602J | AOD4132 | BSS214NW | OSG60R035HT5ZF | TK3A60DA | IRFIBC20G
History: APL602J | AOD4132 | BSS214NW | OSG60R035HT5ZF | TK3A60DA | IRFIBC20G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent