Справочник MOSFET. IRF7406PBF-1

 

IRF7406PBF-1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF7406PBF-1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 59 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для IRF7406PBF-1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7406PBF-1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:231K  international rectifier
 irf7406pbf-1.pdf pdf_icon

IRF7406PBF-1

IRF7406TRPbF-1HEXFET Power MOSFETVDS -30 VA1 8S DRDS(on) max 0.045 2 7(@V = -10V) S DGSQg (max) 59 nC 3 6S DID 45G D-5.8 A(@T = 25C)ASO-8Top ViewFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoHS Compliant, Halogen-Free Environment

 4.1. Size:235K  international rectifier
 irf7406pbf.pdf pdf_icon

IRF7406PBF-1

PD - 95302IRF7406PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-ResistanceA1 8l P-Channel Mosfet S DVDSS = -30V2 7l Surface MountS Dl Available in Tape & Reel3 6S Dl Dynamic dv/dt Rating4 5G DRDS(on) = 0.045l Fast Switchingl Lead-FreeTop ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced proces

 7.1. Size:262K  international rectifier
 irf7406gpbf.pdf pdf_icon

IRF7406PBF-1

PD -96259IRF7406GPbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-ResistanceAl P-Channel Mosfet1 8S Dl Surface MountVDSS = -30V2 7S Dl Available in Tape & Reell Dynamic dv/dt Rating 3 6S Dl Fast Switching4 5G Dl Lead-FreeRDS(on) = 0.045l Halogen-FreeTop ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize

 7.2. Size:114K  international rectifier
 irf7406.pdf pdf_icon

IRF7406PBF-1

PD - 9.1247CIRF7406PRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Generation V TechnologyA1 8 Ultra Low On-Resistance S DVDSS = -30V2 7 P-Channel MosfetS D Surface Mount3 6S D Available in Tape & Reel4 5G DRDS(on) = 0.045 Dynamic dv/dt Rating Fast SwitchingTop V iewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing te

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHF18N50D , SIHF22N60E , SIHF22N60S , IRF7404PBF-1 , IRF7404QPBF , IRF7404PBF , IRF7406GPBF , IRF7406PBF , IRF3710 , IRF740ALPBF , IRF740APBF , IRF740ASPBF , IRF740B , IRF740LC , IRF740LCPBF , IRF740PBF , IRF740SPBF .

 

 
Back to Top

 


 
.