Справочник MOSFET. IRF740ASPBF

 

IRF740ASPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF740ASPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 36 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для IRF740ASPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF740ASPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:316K  international rectifier
 irf740alpbf irf740aspbf.pdf pdf_icon

IRF740ASPBF

PD- 95532SMPS MOSFETIRF740AS/LPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max IDl Switch Mode Power Supply ( SMPS )l Uninterruptable Power Supply 400V 0.55 10Al High speed power switchingl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirementl Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characterized Capacitance and2

 6.1. Size:304K  international rectifier
 irf740as-l.pdf pdf_icon

IRF740ASPBF

PD- 95532SMPS MOSFETIRF740AS/LPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max IDl Switch Mode Power Supply ( SMPS )l Uninterruptable Power Supply 400V 0.55 10Al High speed power switchingl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirementl Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characterized Capacitance and D 2

 6.2. Size:135K  international rectifier
 irf740as.pdf pdf_icon

IRF740ASPBF

PD- 92005SMPS MOSFETIRF740AS/LHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max ID Switch Mode Power Supply ( SMPS ) Uninterruptable Power Supply 400V 0.55 10A High speed power switchingBenefits Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirement Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance and D 2 TO-262 PakAvalanch

 6.3. Size:207K  vishay
 irf740as sihf740as irf740al sihf740al.pdf pdf_icon

IRF740ASPBF

IRF740AS, SiHF740AS, IRF740AL, SiHF740ALVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 400DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 0.55 Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveRequirementQg (Max.) (nC) 36 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQgs (nC) 9.9RuggednessQgd (nC) 16 Fully Characterized Capac

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF7404PBF-1 , IRF7404QPBF , IRF7404PBF , IRF7406GPBF , IRF7406PBF , IRF7406PBF-1 , IRF740ALPBF , IRF740APBF , IRFB4227 , IRF740B , IRF740LC , IRF740LCPBF , IRF740PBF , IRF740SPBF , IRF7410GPBF , IRF7410PBF-1 , IRF7410PBF .

 

 
Back to Top

 


 
.