Справочник MOSFET. IRF7416PBF-1

 

IRF7416PBF-1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF7416PBF-1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 49 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 890 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7416PBF-1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:228K  international rectifier
irf7416pbf-1.pdfpdf_icon

IRF7416PBF-1

IRF7416PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS -30 VA1 8S DRDS(on) max 0.020 2 7(@V = -10V) S DGSQg (typical) 61 nC3 6S DID 4 5-10 AG D(@T = 25C)ASO-8Top ViewFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoHS Compliant, Halogen-Free Environmen

 4.1. Size:237K  international rectifier
irf7416pbf.pdfpdf_icon

IRF7416PBF-1

PD - 95137AIRF7416PbFl Generation V Technology HEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceAl P-Channel Mosfet1 8S Dl Surface MountVDSS = -30V2 7S Dl Available in Tape & Reel3 6l Dynamic dv/dt RatingS Dl Fast Switching45G DRDS(on) = 0.02l Lead-FreeTop ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced proces

 7.1. Size:269K  1
irf7416qpbf.pdfpdf_icon

IRF7416PBF-1

PD - 96124IRF7416QPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyA1 8l Ultra Low On-ResistanceS Dl P Channel MOSFETVDSS = -30V2 7S Dl Surface Mount3 6l Available in Tape & ReelS Dl 150C Operating Temperature45G DRDS(on) = 0.02l Automotive [Q101] Qualifiedl Lead-FreeTop ViewDescriptionSpecifically designed for Automotive applications,

 7.2. Size:244K  international rectifier
auirf7416q.pdfpdf_icon

IRF7416PBF-1

AUTOMOTIVE GRADEAUIRF7416QHEXFET Power MOSFETFeaturesl Advanced Process Technology A1 8S DV(BR)DSS-30Vl Low On-Resistance2 7S Dl Logic Level Gate Drive3 6S D RDS(on) max.0.02l P-Channel MOSFET4 5G Dl Dynamic dV/dT RatingID-10ATop Viewl 150C Operating Temperaturel Fast Switchingl Fully Avalanche Ratedl Lead-Free, RoHS Compliantl Autom

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.