IRF7478PBF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRF7478PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 2.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для IRF7478PBF
IRF7478PBF Datasheet (PDF)
irf7478pbf.pdf
PD- 95280IRF7478PbFSMPS MOSFETHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max (mW) IDl High frequency DC-DC converters60V 26@VGS = 10V 4.2Al Lead-Free30@VGS = 4.5V 3.5ABenefitsAA1 8S Dl Low Gate to Drain Charge to Reduce2 7Switching LossesS Dl Fully Characterized Capacitance Including3 6S DEffective COSS to Simplify Design, (See4 5G DApp. Note
irf7478pbf-1.pdf
IRF7478PbF-1SMPS MOSFETHEXFET Power MOSFETAVDS 60 VA1 8S DRDS(on) max 262 7(@V = 10V) S DGSmRDS(on) max 3 6S D30(@V = 4.5V)GS45G DQg (typical) 21 nCID SO-87.0 A Top View(@T = 25C)AApplicationsl High frequency DC-DC convertersFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible wit
irf7478qpbf.pdf
PD- 96128SMPS MOSFETIRF7478QPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max (mW) IDl N Channel MOSFET60V 26@VGS = 10V 4.2Al Surface Mount30@VGS = 4.5V 3.5Al Available in Tape & Reell 150C Operating Temperaturel Automotive [Q101] QualifiedAAl Lead-Free1 8S DDescription 2 7S DSpecifically designed for Autom
irf7478.pdf
PD- 94055AIRF7478SMPS MOSFETHEXFET Power MOSFETApplications)VDSS RDS(on) max (m) ID))) High frequency DC-DC converters60V 26@VGS = 10V 4.2A30@VGS = 4.5V 3.5ABenefitsAA1 8S D Low Gate to Drain Charge to Reduce2 7Switching LossesS D Fully Characterized Capacitance Including3 6S DEffective COSS to Simplify Design, (See4 5G DA
Другие MOSFET... IRF7471PBF , IRF7471 , IRF7473PBF , IRF7473PBF-1 , IRF7475PBF , IRF7476PBF , IRF7477 , IRF7477PBF , IRLB3034 , IRF7478PBF-1 , IRF7478QPBF , IRF7480M , IRF7483M , IRF7484PBF , IRF7484Q , IRF7490PBF , IRF7492PBF .
History: CEB83A3G | AON6435 | SIA429DJT | IRF7495PBF | SIA416DJ
History: CEB83A3G | AON6435 | SIA429DJT | IRF7495PBF | SIA416DJ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20P30S | AP20N100Q | AP20N06T | AP2080Q | AP2080KA | AP2055K | AP2045KD | AP2035Q | AP2035G | AP2022S | AP2012S | AP2012 | AP200N04D | AP200N04 | AP2003 | AP18P30Q
Popular searches
mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor | 75n65kdf | c2274 transistor | c5200 2sc5200 transistor datasheet







