IRF7483M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF7483M  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 135 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 642 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm

Тип корпуса: DIRECTFET

Аналог (замена) для IRF7483M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7483M даташит

 ..1. Size:495K  international rectifier
irf7483m.pdfpdf_icon

IRF7483M

StrongIRFET IRF7483MTRPbF DirectFET N-Channel Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 40V BLDC Motor drive applications RDS(on) typ. Battery powered circuits 1.7m Half-bridge and full-bridge topologies max 2.3m Synchronous rectifier applications Resonant mode power supplies ID (Silicon

 0.1. Size:510K  international rectifier
irf7483mtrpbf.pdfpdf_icon

IRF7483M

StrongIRFET IRF7483MTRPbF DirectFET N-Channel Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 40V BLDC Motor drive applications RDS(on) typ. Battery powered circuits 1.7m Half-bridge and full-bridge topologies max 2.3m Synchronous rectifier applications Resonant mode power supplies ID (Silicon

 8.1. Size:498K  international rectifier
irf7480m.pdfpdf_icon

IRF7483M

StrongIRFET IRF7480MTRPbF DirectFET N-Channel Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 40V BLDC Motor drive applications RDS(on) typ. Battery powered circuits 0.95m Half-bridge and full-bridge topologies max 1.20m Synchronous rectifier applications Resonant mode power supplies ID (Silic

 8.2. Size:231K  international rectifier
irf7484pbf.pdfpdf_icon

IRF7483M

PD - 95281A IRF7484PbF Typical Applications HEXFET Power MOSFET Industrial Motor Drive VDSS RDS(on) max (mW) ID 40V 10@VGS = 7.0V 14A Benefits l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax. A A 1 8 l Lead-Free S D 2 7 S D Description 3 6 S D This Stripe Planar design of HEXFET Power 4 5 MOSFETs

Другие IGBT... IRF7475PBF, IRF7476PBF, IRF7477, IRF7477PBF, IRF7478PBF, IRF7478PBF-1, IRF7478QPBF, IRF7480M, K2611, IRF7484PBF, IRF7484Q, IRF7490PBF, IRF7492PBF, IRF7493PBF, IRF7493PBF-1, IRF7494PBF, IRF7495PBF