Справочник MOSFET. IRF7483M

 

IRF7483M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF7483M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 135 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 642 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm
   Тип корпуса: DIRECTFET
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7483M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:495K  international rectifier
irf7483m.pdfpdf_icon

IRF7483M

StrongIRFET IRF7483MTRPbF DirectFET N-Channel Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 40V BLDC Motor drive applications RDS(on) typ. Battery powered circuits 1.7m Half-bridge and full-bridge topologies max 2.3m Synchronous rectifier applications Resonant mode power supplies ID (Silicon

 0.1. Size:510K  international rectifier
irf7483mtrpbf.pdfpdf_icon

IRF7483M

StrongIRFET IRF7483MTRPbF DirectFET N-Channel Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 40V BLDC Motor drive applications RDS(on) typ. Battery powered circuits 1.7m Half-bridge and full-bridge topologies max 2.3m Synchronous rectifier applications Resonant mode power supplies ID (Silicon

 8.1. Size:498K  international rectifier
irf7480m.pdfpdf_icon

IRF7483M

StrongIRFET IRF7480MTRPbF DirectFET N-Channel Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 40V BLDC Motor drive applications RDS(on) typ. Battery powered circuits 0.95m Half-bridge and full-bridge topologies max 1.20m Synchronous rectifier applications Resonant mode power supplies ID (Silic

 8.2. Size:231K  international rectifier
irf7484pbf.pdfpdf_icon

IRF7483M

PD - 95281AIRF7484PbFTypical ApplicationsHEXFET Power MOSFET Industrial Motor DriveVDSS RDS(on) max (mW) ID 40V 10@VGS = 7.0V 14ABenefitsl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-Resistancel Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax.AA1 8l Lead-FreeS D2 7S DDescription3 6S DThis Stripe Planar design of HEXFET Power45MOSFETs

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: APT7F100S | IPD90N08S4-05 | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | 2SK1120

 

 
Back to Top

 


 
.