IRF7524D1GPBF datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: IRF7524D1GPBF 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
Тип корпуса: MICRO-8
Аналог (замена) для IRF7524D1GPBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF7524D1GPBF даташит
irf7524d1gpbf.pdf
PD -96176 IRF7524D1GPbF FETKYTM MOSFET & Schottky Diode l Co-packaged HEXFET Power 1 8 MOSFET and Schottky Diode K A VDSS = -20V l P-Channel HEXFET 2 7 A K l Low VF Schottky Rectifier 3 6 S D l Generation 5 Technology RDS(on) = 0.27 TM 4 5 l Micro8 Footprint G D l Lead-Free Schottky Vf = 0.39V l Halogen-Free Top View Description The FETKYTM family of co-packaged H
irf7524d1.pdf
PD -91648C PRELIMINARY IRF7524D1 FETKYTM MOSFET & Schottky Diode Co-packaged HEXFET Power 1 8 A K MOSFET and Schottky Diode VDSS = -20V 2 7 P-Channel HEXFET A K Low VF Schottky Rectifier 3 6 S D RDS(on) = 0.27 Generation 5 Technology 4 5 TM G D Micro8 Footprint Schottky Vf = 0.39V Top View Description The FETKYTM family of co-packaged HEXFETs and Schottky d
irf7524d1pbf.pdf
PD -95242 IRF7524D1PbF FETKYTM MOSFET & Schottky Diode l Co-packaged HEXFET Power 1 8 A K MOSFET and Schottky Diode VDSS = -20V 2 7 l P-Channel HEXFET A K l Low VF Schottky Rectifier 3 6 S D RDS(on) = 0.27 l Generation 5 Technology 4 5 TM G D l Micro8 Footprint Schottky Vf = 0.39V l Lead-Free Top View Description The FETKYTM family of co-packaged HEXFETs and Scho
irf7523d1.pdf
PD- 91647C IRF7523D1 FETKY MOSFET / Schottky Diode Co-packaged HEXFET Power MOSFET 1 8 A K and Schottky Diode VDSS = 30V 2 7 N-Channel HEXFET A K Low VF Schottky Rectifier 3 6 RDS(on) = 0.11 S D Generation 5 Technology 4 5 TM G D Micro8 Footprint Schottky Vf = 0.39V Top View Description The FETKYTM family of co-packaged HEXFETs and Schott
Другие IGBT... IRF7492PBF, IRF7493PBF, IRF7493PBF-1, IRF7494PBF, IRF7495PBF, IRF7509PBF-1, IRF7521D1PBF, IRF7523D1PBF, IRF740, IRF7524D1PBF, IRF7526D1PBF, IRF7534D1, IRF7534D1PBF, IRF7580M, IRF7601PBF, IRF7603PBF, SIHF22N65E
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60 | ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ
Popular searches
2sc1775 datasheet | j377 transistor datasheet | svt20240nt | tip41c replacement | b772m transistor | mj15003g datasheet | irfp460n datasheet | mj15025g









