Справочник MOSFET. SIHF22N65E

 

SIHF22N65E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHF22N65E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 118 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP
 

 Аналог (замена) для SIHF22N65E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHF22N65E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:163K  vishay
 sihf22n65e.pdf pdf_icon

SIHF22N65E

SiHF22N65Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 700 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.18 Reduced switching and conduction lossesAvailableQg max. (nC) 110 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 15 Avalanche energy rated (UIS)Availa

 6.1. Size:165K  vishay
 sihf22n60e.pdf pdf_icon

SIHF22N65E

SiHF22N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 650 Low Input Capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.18 Reduced Switching and Conduction LossesQg max. (nC) 86 Ultra Low Gate Charge (Qg)Qgs (nC) 14 Avalanche Energy Rated (UIS)Qgd (nC) 26

 6.2. Size:165K  vishay
 sihf22n60s.pdf pdf_icon

SIHF22N65E

SiHF22N60Swww.vishay.comVishay SiliconixS Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Generation OneVDS at TJ max. (V) 650 High EAR CapabilityRDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.190 Lower Figure-of-Merit Ron x QgQg max. (nC) 98 100 % Avalanche TestedQgs (nC) 17Qgd (nC) 25 Ultra Low RonConfiguration Single dV/dt Ruggedness Ultra Low G

 9.1. Size:167K  vishay
 sihf23n60e.pdf pdf_icon

SIHF22N65E

SiHF23N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 650 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.158 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 95 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 16Qgd (nC) 25 Avalanche energy rated (UIS)Con

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF7524D1GPBF , IRF7524D1PBF , IRF7526D1PBF , IRF7534D1 , IRF7534D1PBF , IRF7580M , IRF7601PBF , IRF7603PBF , IRFP460 , SIHF23N60E , SIHF28N60EF , SIHF30N60E , SIHF510 , SIHF510S , SIHF520 , SIHF520S , SIHF530 .

History: SWNC4N65DD | HGP115N15S | HSU70P06 | AP20N15AGH | WFP12N65 | ZXMN3F30FH | MTN40N03I3

 

 
Back to Top

 


 
.