Справочник MOSFET. SIHF610S

 

SIHF610S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHF610S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для SIHF610S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHF610S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:175K  vishay
 irf610s sihf610s irf610l sihf610l.pdf pdf_icon

SIHF610S

IRF610S, SiHF610S, IRF610L, SiHF610Lwww.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Surface mountVDS (V) 200 Available in tape and reelRDS(on) ()VGS = 10 V 1.5 Dynamic dV/dt ratingAvailableQg (Max.) (nC) 8.2 Repetitive avalanche ratedQgs (nC) 1.8 Fast switchingAvailableQgd (nC) 4.5 Ease of parallelingConfiguration Sing

 ..2. Size:199K  vishay
 sihf610s.pdf pdf_icon

SIHF610S

IRF610S, SiHF610SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) 200 Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 1.5 Available in Tape and ReelQg (Max.) (nC) 8.2 Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche RatedQgs (nC) 1.8 Fast SwitchingQgd (nC) 4.5 Ease of Paralleling Simple Drive R

 7.1. Size:202K  vishay
 irf610 sihf610.pdf pdf_icon

SIHF610S

IRF610, SiHF610Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.5RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 8.2COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 1.8Qgd (nC) 4.5 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD

 7.2. Size:202K  vishay
 sihf610.pdf pdf_icon

SIHF610S

IRF610, SiHF610Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.5RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 8.2COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 1.8Qgd (nC) 4.5 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHF520S , SIHF530 , SIHF530S , SIHF540 , SIHF540S , SIHF5N50D , SIHF610 , SIHF610L , STP75NF75 , SIHF614 , SIHF614S , SIHF620 , SIHF620S , SIHF624 , SIHF624S , SIHF630 , SIHF630S .

History: WMQ048NV6HG4 | NCEP60T20D | SFG12R03HNF | IRLU7833 | JFPC5N80C

 

 
Back to Top

 


 
.