SIHF610S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHF610S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для SIHF610S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHF610S даташит

 ..1. Size:175K  vishay
irf610s sihf610s irf610l sihf610l.pdfpdf_icon

SIHF610S

IRF610S, SiHF610S, IRF610L, SiHF610L www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Surface mount VDS (V) 200 Available in tape and reel RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.5 Dynamic dV/dt rating Available Qg (Max.) (nC) 8.2 Repetitive avalanche rated Qgs (nC) 1.8 Fast switching Available Qgd (nC) 4.5 Ease of paralleling Configuration Sing

 ..2. Size:199K  vishay
sihf610s.pdfpdf_icon

SIHF610S

IRF610S, SiHF610S Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) 200 Surface Mount RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.5 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 8.2 Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Qgs (nC) 1.8 Fast Switching Qgd (nC) 4.5 Ease of Paralleling Simple Drive R

 7.1. Size:202K  vishay
irf610 sihf610.pdfpdf_icon

SIHF610S

IRF610, SiHF610 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 200 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.5 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 8.2 COMPLIANT Ease of Paralleling Qgs (nC) 1.8 Qgd (nC) 4.5 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D

 7.2. Size:202K  vishay
sihf610.pdfpdf_icon

SIHF610S

IRF610, SiHF610 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 200 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.5 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 8.2 COMPLIANT Ease of Paralleling Qgs (nC) 1.8 Qgd (nC) 4.5 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D

Другие IGBT... SIHF520S, SIHF530, SIHF530S, SIHF540, SIHF540S, SIHF5N50D, SIHF610, SIHF610L, 7N65, SIHF614, SIHF614S, SIHF620, SIHF620S, SIHF624, SIHF624S, SIHF630, SIHF630S