Справочник MOSFET. SIHF640

 

SIHF640 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHF640
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для SIHF640

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHF640 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:197K  vishay
 irf640pbf sihf640.pdf pdf_icon

SIHF640

IRF640, SiHF640Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.18RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 70 COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 13Qgd (nC) 39 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDDESC

 ..2. Size:196K  vishay
 irf640 sihf640.pdf pdf_icon

SIHF640

IRF640, SiHF640Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.18RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 70 COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 13Qgd (nC) 39 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDDESC

 0.1. Size:196K  vishay
 irf640lpbf irf640spbf sihf640l sihf640s.pdf pdf_icon

SIHF640

IRF640S, IRF640L, SiHF640S, SiHF640LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) 200 Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 0.18 Low-Profile Through-HoleQg (Max.) (nC) 70 Available in Tape and ReelQgs (nC) 13 Dynamic dV/dt Rating 150 C Operating TemperatureQgd (nC) 39 Fast Swi

 0.2. Size:209K  vishay
 irf640s sihf640s sihf640l.pdf pdf_icon

SIHF640

IRF640S, SiHF640S, SiHF640Lwww.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Surface mountVDS (V) 200 Low-profile through-holeRDS(on) ()VGS = 10 V 0.18 Available in tape and reelAvailableQg max. (nC) 70 Dynamic dV/dt ratingQgs (nC) 13 150 C operating temperature AvailableQgd (nC) 39 Fast switchingConfiguration Single

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHF620 , SIHF620S , SIHF624 , SIHF624S , SIHF630 , SIHF630S , SIHF634 , SIHF634S , AO3400 , SIHF640L , SIHF640S , SIHF644 , SIHF644S , SIHF6N40D , SIHF6N65E , SIHF710 , SIHF710S .

 

 
Back to Top

 


 
.