SIHF640L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SIHF640L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO-262
Аналог (замена) для SIHF640L
SIHF640L Datasheet (PDF)
irf640lpbf irf640spbf sihf640l sihf640s.pdf

IRF640S, IRF640L, SiHF640S, SiHF640LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) 200 Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 0.18 Low-Profile Through-HoleQg (Max.) (nC) 70 Available in Tape and ReelQgs (nC) 13 Dynamic dV/dt Rating 150 C Operating TemperatureQgd (nC) 39 Fast Swi
irf640s sihf640s sihf640l.pdf

IRF640S, SiHF640S, SiHF640Lwww.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Surface mountVDS (V) 200 Low-profile through-holeRDS(on) ()VGS = 10 V 0.18 Available in tape and reelAvailableQg max. (nC) 70 Dynamic dV/dt ratingQgs (nC) 13 150 C operating temperature AvailableQgd (nC) 39 Fast switchingConfiguration Single
irf640pbf sihf640.pdf

IRF640, SiHF640Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.18RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 70 COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 13Qgd (nC) 39 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDDESC
irf640 sihf640.pdf

IRF640, SiHF640Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.18RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 70 COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 13Qgd (nC) 39 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDDESC
Другие MOSFET... SIHF620S , SIHF624 , SIHF624S , SIHF630 , SIHF630S , SIHF634 , SIHF634S , SIHF640 , SPP20N60C3 , SIHF640S , SIHF644 , SIHF644S , SIHF6N40D , SIHF6N65E , SIHF710 , SIHF710S , SIHF720 .
History: AFN2604 | FDMS8670AS | TPB60R580C | TF3402 | IRFS821 | FS5KM-9 | 2SK4075B
History: AFN2604 | FDMS8670AS | TPB60R580C | TF3402 | IRFS821 | FS5KM-9 | 2SK4075B



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sa906 | c2389 transistor | c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d