IRL520N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRL520N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 20(max) nC
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 97 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для IRL520N
IRL520N Datasheet (PDF)
irl520n.pdf

PD - 91494AIRL520NHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Advanced Process TechnologyVDSS = 100V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.18 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 10ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per
irl520npbf.pdf

PD- 95668IRL520NPbF Lead-Freewww.irf.com 18/2/04IRL520NPbF2 www.irf.comIRL520NPbFwww.irf.com 3IRL520NPbF4 www.irf.comIRL520NPbFwww.irf.com 5IRL520NPbF6 www.irf.comIRL520NPbFwww.irf.com 7IRL520NPbFTO-220AB Package OutlineDimensions are shown in millimeters (inches)10.54 (.415) - B -3.78 (.149)10.29 (.405)2.87 (.113) 4.69 (.185)3.54 (.139)
irl520n.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRL520N,IIRL520NFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 180m (max)Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONIt is intended for general purpose switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aS
irl520nspbf irl520nlpbf.pdf

PD- 95592IRL520NSPbFIRL520NLPbF Lead-Freewww.irf.com 107/21/04IR520NS/LPbF2 www.irf.comIRL520NS/LPbFwww.irf.com 3IR520NS/LPbF4 www.irf.comIRL520NS/LPbFwww.irf.com 5IR520NS/LPbF6 www.irf.comIRL520NS/LPbFPeak Diode Recovery dv/dt Test Circuit+Circuit Layout Considerations Low Stray Inductance Ground Plane Low Leakage InductanceCur
Другие MOSFET... IRL3803 , IRL3803L , IRL3803S , IRL510 , IRL510A , IRL511 , IRL520 , IRL520A , AO3400 , IRL520NL , IRL520NS , IRL521 , IRL530 , IRL530A , IRL530N , IRL530NL , IRL530NS .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHS045N98I | DHS045N98F | DHS045N98E | DHS045N98D | DHS045N98B | DHS045N98 | DHS045N88I | DHS045N88F | DHS045N88E | DHS045N88D | DHS035N88I | DHS035N88E | DHS035N88 | DHS035N10E | DHS035N10 | DHS031N07P
Popular searches
2sa725 | c5242 transistor | 2sa726 replacement | a1941 datasheet | hrf3205 | c2837 datasheet | 2n414 | c3998