Справочник MOSFET. SIHF6N40D

 

SIHF6N40D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHF6N40D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP
 

 Аналог (замена) для SIHF6N40D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHF6N40D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:173K  vishay
sihf6n40d.pdfpdf_icon

SIHF6N40D

SiHF6N40Dwww.vishay.comVishay SiliconixD Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Optimal DesignVDS (V) at TJ max. 450- Low Area Specific On-ResistanceRDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 1.0- Low Input Capacitance (Ciss)Qg max. (nC) 18- Reduced Capacitive Switching LossesQgs (nC) 3 - High Body Diode Ruggedness- Avalanche Energy Rated (UIS)Qgd (nC) 4 O

 8.1. Size:164K  vishay
sihf6n65e.pdfpdf_icon

SIHF6N40D

SiHF6N65Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 700 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.6 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 48 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 6 Avalanche energy rated (UIS)Qgd (nC) 11 Mat

 9.1. Size:153K  vishay
irf634pbf sihf634.pdfpdf_icon

SIHF6N40D

IRF634, SiHF634Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 250Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.45RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 41COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 6.5Qgd (nC) 22 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDD

 9.2. Size:196K  vishay
irf624 sihf624.pdfpdf_icon

SIHF6N40D

IRF624, SiHF624Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 250Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.1RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 14COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 2.7 Simple Drive RequirementsQgd (nC) 7.8Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDDE

Другие MOSFET... SIHF630S , SIHF634 , SIHF634S , SIHF640 , SIHF640L , SIHF640S , SIHF644 , SIHF644S , IRF9540N , SIHF6N65E , SIHF710 , SIHF710S , SIHF720 , SIHF720L , SIHF720S , SIHF730 , SIHF730A .

History: TPC60R150C | BRCS065N08SHRA | HUFA75337G3

 

 
Back to Top

 


 
.