SIHF720S - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SIHF720S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SIHF720S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для SIHF720S

SIHF720S Datasheet (PDF)

..1. Size:199K vishay
irf720spbf sihf720s.pdf

IRF720S, SiHF720SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) 400 Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 1.8 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 20 Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 3.3 Repetitive Avalanche Rated Fast SwitchingQgd (nC) 11 Ease of ParallelingConfiguration Sing

7.1. Size:201K vishay
irf720 sihf720.pdf

IRF720, SiHF720Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 400 VAvailable Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.8 RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 20COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 3.3Qgd (nC) 11 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD

7.2. Size:176K vishay
irf720lpbf sihf720l.pdf

IRF720S, SiHF720S, IRF720L, SiHF720Lwww.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Surface mount Available in tape and reel VDS (V) 400 Dynamic dV/dt ratingRDS(on) ()VGS = 10 V 1.8Available Repetitive avalanche ratedQg (Max.) (nC) 20 Fast switchingQgs (nC) 3.3 Ease of parallelingAvailable Simple drive requirementsQ

7.3. Size:201K vishay
irf720pbf sihf720.pdf