SIHF730AS - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SIHF730AS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SIHF730AS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 74 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 400 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 22 nC
   Время нарастания (tr): 22 ns
   Выходная емкость (Cd): 103 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для SIHF730AS

SIHF730AS Datasheet (PDF)

..1. Size:199K vishay
irf730alpbf irf730aspbf sihf730al sihf730as.pdf

IRF730AS, SiHF730AS, IRF730AL, SiHF730ALVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 400DefinitionRDS(on) (Max.) ()VGS = 10 V 1.0 Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveRequirementQg (Max.) (nC) 22 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQgs (nC) 5.8RuggednessQgd (nC) 9.3 Fully Characteriz

6.1. Size:206K vishay
irf730apbf sihf730a.pdf

IRF730A, SiHF730AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg results in Simple DriveVDS (V) 400AvailableRequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 1.0RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 22 RuggednessQgs (nC) 5.8 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltageand CurrentQgd (nC) 9.3 Effecti

6.2. Size:206K vishay
irf730a sihf730a.pdf

7.1. Size:165K vishay
irf730s sihf730s.pdf

IRF730S, SiHF730SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 400Definition Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 1.0 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 38 Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 5.7 Repetitive Avalanche RatedQgd (nC) 22 Fast Switching Ease of ParallelingConfiguration Sing

7.2. Size:197K vishay
sihf730.pdf

IRF730, SiHF730Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 400Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.0RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 38COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 5.7Qgd (nC) 22 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDDES

7.3. Size:191K vishay
irf730spbf sihf730s.pdf