Справочник MOSFET. SIHF730S

 

SIHF730S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHF730S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для SIHF730S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHF730S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:165K  vishay
 irf730s sihf730s.pdf pdf_icon

SIHF730S

IRF730S, SiHF730SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 400Definition Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 1.0 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 38 Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 5.7 Repetitive Avalanche RatedQgd (nC) 22 Fast Switching Ease of ParallelingConfiguration Sing

 ..2. Size:191K  vishay
 irf730spbf sihf730s.pdf pdf_icon

SIHF730S

IRF730S, SiHF730SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 400Definition Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 1.0 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 38 Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 5.7 Repetitive Avalanche RatedQgd (nC) 22 Fast Switching Ease of ParallelingConfiguration Sing

 7.1. Size:206K  vishay
 irf730apbf sihf730a.pdf pdf_icon

SIHF730S

IRF730A, SiHF730AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg results in Simple DriveVDS (V) 400AvailableRequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 1.0RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 22 RuggednessQgs (nC) 5.8 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltageand CurrentQgd (nC) 9.3 Effecti

 7.2. Size:197K  vishay
 sihf730.pdf pdf_icon

SIHF730S

IRF730, SiHF730Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 400Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.0RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 38COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 5.7Qgd (nC) 22 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDDES

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHF710S , SIHF720 , SIHF720L , SIHF720S , SIHF730 , SIHF730A , SIHF730AL , SIHF730AS , IRFP450 , SIHF740 , SIHF740A , SIHF740AL , SIHF740AS , SIHF740LC , SIHF740S , SIHF7N60E , SIHF820 .

History: DMK4N65 | IPD082N10N3G | AM40P10-200P | HM4453A | CS10N65FA9HD | DMG2301U | 2SK1323

 

 
Back to Top

 


 
.