SIHF730S datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SIHF730S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для SIHF730S
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SIHF730S даташит
irf730s sihf730s.pdf
IRF730S, SiHF730S Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 400 Definition Surface Mount RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.0 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 38 Dynamic dV/dt Rating Qgs (nC) 5.7 Repetitive Avalanche Rated Qgd (nC) 22 Fast Switching Ease of Paralleling Configuration Sing
irf730spbf sihf730s.pdf
IRF730S, SiHF730S Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 400 Definition Surface Mount RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.0 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 38 Dynamic dV/dt Rating Qgs (nC) 5.7 Repetitive Avalanche Rated Qgd (nC) 22 Fast Switching Ease of Paralleling Configuration Sing
irf730apbf sihf730a.pdf
IRF730A, SiHF730A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg results in Simple Drive VDS (V) 400 Available Requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.0 RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 22 Ruggedness Qgs (nC) 5.8 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current Qgd (nC) 9.3 Effecti
sihf730.pdf
IRF730, SiHF730 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 400 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.0 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 38 COMPLIANT Ease of Paralleling Qgs (nC) 5.7 Qgd (nC) 22 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D DES
Другие IGBT... SIHF710S, SIHF720, SIHF720L, SIHF720S, SIHF730, SIHF730A, SIHF730AL, SIHF730AS, NCEP15T14, SIHF740, SIHF740A, SIHF740AL, SIHF740AS, SIHF740LC, SIHF740S, SIHF7N60E, SIHF820
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ | ASDM60N45KQ | ASDM60N30KQ | ASDM540G | ASDM4976S | ASDM4606S | ASDM40R009NQ | ASDM40N80KQ | ASDM40N60KQ
Popular searches
cs30n20 datasheet | go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet








