SIHF820 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SIHF820
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 8.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SIHF820 Datasheet (PDF)
irf820 sihf820.pdf

IRF820, SiHF820Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 500Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 24COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 3.3Qgd (nC) 13 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDESCR
irf820pbf sihf820.pdf

IRF820, SiHF820Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 500Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 24COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 3.3Qgd (nC) 13 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDESCR
irf820 sihf820.pdf

IRF820, SiHF820Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 500Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 24COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 3.3Qgd (nC) 13 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDESCR
sihf820a.pdf

IRF820A, SiHF820AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 17 RuggednessQgs (nC) 4.3 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltageand currentQgd (nC) 8.5 Effecti
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: BSC057N03MSG | STP5NB40 | 2SK3532 | BRA7N80 | TK62J60W
History: BSC057N03MSG | STP5NB40 | 2SK3532 | BRA7N80 | TK62J60W



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
Популярные запросы | irfz44n | irf3205 | irfz44n datasheet | 2n4401 | bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet