Справочник MOSFET. SIHF820

 

SIHF820 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHF820
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для SIHF820

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHF820 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  vishay
irf820 sihf820.pdfpdf_icon

SIHF820

IRF820, SiHF820Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 500Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 24COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 3.3Qgd (nC) 13 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDESCR

 ..2. Size:201K  vishay
irf820pbf sihf820.pdfpdf_icon

SIHF820

IRF820, SiHF820Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 500Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 24COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 3.3Qgd (nC) 13 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDESCR

 ..3. Size:151K  infineon
irf820 sihf820.pdfpdf_icon

SIHF820

IRF820, SiHF820Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 500Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 24COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 3.3Qgd (nC) 13 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDESCR

 0.1. Size:205K  vishay
sihf820a.pdfpdf_icon

SIHF820

IRF820A, SiHF820AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 17 RuggednessQgs (nC) 4.3 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltageand currentQgd (nC) 8.5 Effecti

Другие MOSFET... SIHF730S , SIHF740 , SIHF740A , SIHF740AL , SIHF740AS , SIHF740LC , SIHF740S , SIHF7N60E , STF13NM60N , SIHF820A , SIHF820AL , SIHF820AS , SIHF820L , SIHF820S , SIHF830 , SIHF830A , SIHF830AL .

History: AM8814 | CTLDM7003-M621 | AO4938 | LSG65R650HT

 

 
Back to Top

 


 
.