SIHF820 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHF820

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для SIHF820

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHF820 даташит

 ..1. Size:200K  vishay
irf820 sihf820.pdfpdf_icon

SIHF820

IRF820, SiHF820 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 500 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.0 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 24 COMPLIANT Ease of Paralleling Qgs (nC) 3.3 Qgd (nC) 13 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC DESCR

 ..2. Size:201K  vishay
irf820pbf sihf820.pdfpdf_icon

SIHF820

IRF820, SiHF820 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 500 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.0 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 24 COMPLIANT Ease of Paralleling Qgs (nC) 3.3 Qgd (nC) 13 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC DESCR

 ..3. Size:151K  infineon
irf820 sihf820.pdfpdf_icon

SIHF820

IRF820, SiHF820 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 500 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.0 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 24 COMPLIANT Ease of Paralleling Qgs (nC) 3.3 Qgd (nC) 13 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC DESCR

 0.1. Size:205K  vishay
sihf820a.pdfpdf_icon

SIHF820

IRF820A, SiHF820A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 500 Requirement Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.0 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS* COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 17 Ruggedness Qgs (nC) 4.3 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and current Qgd (nC) 8.5 Effecti

Другие IGBT... SIHF730S, SIHF740, SIHF740A, SIHF740AL, SIHF740AS, SIHF740LC, SIHF740S, SIHF7N60E, IRFP250, SIHF820A, SIHF820AL, SIHF820AS, SIHF820L, SIHF820S, SIHF830, SIHF830A, SIHF830AL