Справочник MOSFET. SIHF840AL

 

SIHF840AL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHF840AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
 

 Аналог (замена) для SIHF840AL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHF840AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  vishay
irf840as sihf840as irf840al sihf840al.pdfpdf_icon

SIHF840AL

IRF840AS, SiHF840AS, IRF840AL, SiHF840ALVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 500DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 0.85 Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveRequirementQg (Max.) (nC) 38 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQgs (nC) 9.0RuggednessQgd (nC) 18 Fully Characterized Capa

 ..2. Size:199K  vishay
irf840alpbf irf840aspbf sihf840al sihf840as.pdfpdf_icon

SIHF840AL

IRF840AS, SiHF840AS, IRF840AL, SiHF840ALVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 500DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 0.85 Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveRequirementQg (Max.) (nC) 38 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQgs (nC) 9.0RuggednessQgd (nC) 18 Fully Characterized Capa

 6.1. Size:207K  vishay
sihf840a.pdfpdf_icon

SIHF840AL

IRF840A, SiHF840AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500Requirement AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.85 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRoHS*Qg (Max.) (nC) 38COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 9.0 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 18and CurrentConfigura

 6.2. Size:206K  vishay
irf840a sihf840a.pdfpdf_icon

SIHF840AL

IRF840A, SiHF840AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500Requirement AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.85 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRoHS*Qg (Max.) (nC) 38COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 9.0 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 18and CurrentConfigura

Другие MOSFET... SIHF830 , SIHF830A , SIHF830AL , SIHF830AS , SIHF830L , SIHF830S , SIHF840 , SIHF840A , IRF830 , SIHF840AS , SIHF840L , SIHF840LC , SIHF840LCL , SIHF840LCS , SIHF840S , SIHF8N50D , SIHF8N50L .

History: STF32N65M5 | 2SK1206 | IXTH90P10P

 

 
Back to Top

 


 
.