Справочник MOSFET. SIHF840S

 

SIHF840S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHF840S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для SIHF840S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHF840S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1039K  vishay
irf840s sihf840s.pdfpdf_icon

SIHF840S

IRF840S, SiHF840SVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Surface MountVDS (V) 500 Available in Tape and Reel AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.85 Dynamic dV/dt RatingRoHS*Qg (Max.) (nC) 63COMPLIANT Repetitive Avalanche RatedQgs (nC) 9.3 Fast SwitchingQgd (nC) 32 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requireme

 ..2. Size:194K  vishay
irf840spbf sihf840s.pdfpdf_icon

SIHF840S

IRF840S, SiHF840SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 500Definition Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 0.85 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 63 Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 9.3 Repetitive Avalanche RatedQgd (nC) 32 Fast Switching Ease of ParallelingConfiguration Sin

 7.1. Size:207K  vishay
sihf840a.pdfpdf_icon

SIHF840S

IRF840A, SiHF840AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500Requirement AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.85 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRoHS*Qg (Max.) (nC) 38COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 9.0 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 18and CurrentConfigura

 7.2. Size:206K  vishay
irf840a sihf840a.pdfpdf_icon

SIHF840S

IRF840A, SiHF840AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500Requirement AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.85 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRoHS*Qg (Max.) (nC) 38COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 9.0 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 18and CurrentConfigura

Другие MOSFET... SIHF840 , SIHF840A , SIHF840AL , SIHF840AS , SIHF840L , SIHF840LC , SIHF840LCL , SIHF840LCS , IRFZ48N , SIHF8N50D , SIHF8N50L , SIHF9510 , SIHF9510S , SIHF9520 , SIHF9520S , SIHF9530 , SIHF9530S .

History: TK4A60DB | SIHF8N50L | 10N60L-TF3-T

 

 
Back to Top

 


 
.