Справочник MOSFET. SIHF9Z10

 

SIHF9Z10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHF9Z10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для SIHF9Z10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHF9Z10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:132K  vishay
 irf9z10 sihf9z10.pdf pdf_icon

SIHF9Z10

IRF9Z10, SiHF9Z10Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 60Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50RoHS* P-ChannelQg (Max.) (nC) 12COMPLIANT 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 3.8 Fast SwitchingQgd (nC) 5.1 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requi

 ..2. Size:133K  vishay
 sihf9z10.pdf pdf_icon

SIHF9Z10

IRF9Z10, SiHF9Z10Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 60Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50RoHS* P-ChannelQg (Max.) (nC) 12COMPLIANT 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 3.8 Fast SwitchingQgd (nC) 5.1 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requi

 7.1. Size:194K  vishay
 irf9z14spbf sihf9z14l sihf9z14s.pdf pdf_icon

SIHF9Z10

IRF9Z14S, SiHF9Z14S, IRF9Z14L, SiHF9Z14LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) - 60 Advanced Process TechnologyRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50 Surface Mount (IRF9Z14S, SiHF9Z14S)Qg (Max.) (nC) 12 Low-Profile Through-Hole (IRF9Z14L, SiHF9Z14L) 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 3.8

 7.2. Size:127K  vishay
 irf9z14 sihf9z14.pdf pdf_icon

SIHF9Z10

IRF9Z14, SiHF9Z14Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 60Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50RoHS* P-ChannelCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 12 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 3.8 Fast SwitchingQgd (nC) 5.1 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requir

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHF9610S , SIHF9620 , SIHF9620S , SIHF9630 , SIHF9630S , SIHF9640 , SIHF9640L , SIHF9640S , IRFZ44N , SIHF9Z14 , SIHF9Z14L , SIHF9Z14S , SIHF9Z20 , SIHF9Z22 , SIHF9Z24 , SIHF9Z24L , SIHF9Z24S .

History: RS3E075AT | SVF18NE50PN | QS6U24 | CEM2133 | 2N7002K-TP | HGK020N10S | STF28NM50N

 

 
Back to Top

 


 
.