SIHF9Z10 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SIHF9Z10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SIHF9Z10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 63 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для SIHF9Z10

SIHF9Z10 Datasheet (PDF)

..1. Size:132K vishay
irf9z10 sihf9z10.pdf

IRF9Z10, SiHF9Z10Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 60Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50RoHS* P-ChannelQg (Max.) (nC) 12COMPLIANT 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 3.8 Fast SwitchingQgd (nC) 5.1 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requi

..2. Size:133K vishay
sihf9z10.pdf

7.1. Size:194K vishay
irf9z14spbf sihf9z14l sihf9z14s.pdf

IRF9Z14S, SiHF9Z14S, IRF9Z14L, SiHF9Z14LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) - 60 Advanced Process TechnologyRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50 Surface Mount (IRF9Z14S, SiHF9Z14S)Qg (Max.) (nC) 12 Low-Profile Through-Hole (IRF9Z14L, SiHF9Z14L) 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 3.8

7.2. Size:127K vishay
irf9z14 sihf9z14.pdf

IRF9Z14, SiHF9Z14Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 60Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50RoHS* P-ChannelCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 12 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 3.8 Fast SwitchingQgd (nC) 5.1 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requir

7.3. Size:129K vishay
irf9z14pbf sihf9z14.pdf