SIHFBC40A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SIHFBC40A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 136 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для SIHFBC40A
SIHFBC40A Datasheet (PDF)
irfbc40a sihfbc40a.pdf

IRFBC40A, SiHFBC40AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 600Requirement AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 1.2 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS*Qg (Max.) (nC) 42COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 10 Fully Characterized Capacitance andQgd (nC) 20Avalanche Voltage and CurrentConfigurati
sihfbc40a.pdf

IRFBC40A, SiHFBC40AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 600Requirement AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 1.2 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS*Qg (Max.) (nC) 42COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 10 Fully Characterized Capacitance andQgd (nC) 20Avalanche Voltage and CurrentConfigurati
irfbc40as sihfbc40as.pdf

IRFBC40AS, SiHFBC40ASVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 600DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 1.2 Low Gate Charge Qg results in Simple DriveRequirementQg (Max.) (nC) 42 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQgs (nC) 10RuggednessQgd (nC) 20 Fully Characterized Capacitance and Avalanche
irfbc40aspbf sihfbc40as.pdf

IRFBC40AS, SiHFBC40ASVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 600DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 1.2 Low Gate Charge Qg results in Simple DriveRequirementQg (Max.) (nC) 42 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQgs (nC) 10RuggednessQgd (nC) 20 Fully Characterized Capacitance and Avalanche
Другие MOSFET... SIHFBC20S , SIHFBC30 , SIHFBC30A , SIHFBC30AL , SIHFBC30AS , SIHFBC30L , SIHFBC30S , SIHFBC40 , 7N65 , SIHFBC40AS , SIHFBC40L , SIHFBC40LC , SIHFBC40S , SIHFBE20 , SIHFBE30 , SIHFBE30L , SIHFBE30S .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet