Справочник MOSFET. SIHFBC40AS

 

SIHFBC40AS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHFBC40AS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 136 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для SIHFBC40AS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFBC40AS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:361K  vishay
 irfbc40as sihfbc40as.pdf pdf_icon

SIHFBC40AS

IRFBC40AS, SiHFBC40ASVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 600DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 1.2 Low Gate Charge Qg results in Simple DriveRequirementQg (Max.) (nC) 42 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQgs (nC) 10RuggednessQgd (nC) 20 Fully Characterized Capacitance and Avalanche

 ..2. Size:387K  vishay
 irfbc40aspbf sihfbc40as.pdf pdf_icon

SIHFBC40AS

IRFBC40AS, SiHFBC40ASVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 600DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 1.2 Low Gate Charge Qg results in Simple DriveRequirementQg (Max.) (nC) 42 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQgs (nC) 10RuggednessQgd (nC) 20 Fully Characterized Capacitance and Avalanche

 5.1. Size:208K  vishay
 irfbc40a sihfbc40a.pdf pdf_icon

SIHFBC40AS

IRFBC40A, SiHFBC40AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 600Requirement AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 1.2 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS*Qg (Max.) (nC) 42COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 10 Fully Characterized Capacitance andQgd (nC) 20Avalanche Voltage and CurrentConfigurati

 5.2. Size:209K  vishay
 sihfbc40a.pdf pdf_icon

SIHFBC40AS

IRFBC40A, SiHFBC40AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 600Requirement AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 1.2 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS*Qg (Max.) (nC) 42COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 10 Fully Characterized Capacitance andQgd (nC) 20Avalanche Voltage and CurrentConfigurati

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHFBC30 , SIHFBC30A , SIHFBC30AL , SIHFBC30AS , SIHFBC30L , SIHFBC30S , SIHFBC40 , SIHFBC40A , K3569 , SIHFBC40L , SIHFBC40LC , SIHFBC40S , SIHFBE20 , SIHFBE30 , SIHFBE30L , SIHFBE30S , SIHFBF20 .

History: 2SK1553 | TSM2NB60CI | AP6982GM-HF | RP1E090RPTR | AP6680AGM | HGN088N15SL | SM4286T9RL

 

 
Back to Top

 


 
.