SIHFBC40AS datasheet, аналоги, параметры транзистора

SIHFBC40AS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHFBC40AS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 42 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 136 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для SIHFBC40AS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

SIHFBC40AS даташит

..1. Size:361K vishay
irfbc40as sihfbc40as.pdf pdf_icon

IRFBC40AS, SiHFBC40AS Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 600 Definition RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.2 Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement Qg (Max.) (nC) 42 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Qgs (nC) 10 Ruggedness Qgd (nC) 20 Fully Characterized Capacitance and Avalanche

..2. Size:387K vishay
irfbc40aspbf sihfbc40as.pdf pdf_icon

5.1. Size:208K vishay
irfbc40a sihfbc40a.pdf pdf_icon

IRFBC40A, SiHFBC40A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 600 Requirement Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.2 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS* Qg (Max.) (nC) 42 COMPLIANT Ruggedness Qgs (nC) 10 Fully Characterized Capacitance and Qgd (nC) 20 Avalanche Voltage and Current Configurati

5.2. Size:209K vishay
sihfbc40a.pdf pdf_icon