Справочник MOSFET. SIHFBE20

 

SIHFBE20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHFBE20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для SIHFBE20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFBE20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1072K  vishay
 irfbe20pbf sihfbe20.pdf pdf_icon

SIHFBE20

IRFBE20, SiHFBE20Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 800Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 6.5RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 38COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 5.0Qgd (nC) 21 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD

 ..2. Size:1069K  vishay
 irfbe20 sihfbe20.pdf pdf_icon

SIHFBE20

IRFBE20, SiHFBE20Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 800Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 6.5RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 38COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 5.0Qgd (nC) 21 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD

 8.1. Size:448K  vishay
 irfbe30s sihfbe30s irfbe30l sihfbe30l.pdf pdf_icon

SIHFBE20

IRFBE30S, SiHFBE30S, IRFBE30L, SiHFBE30LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 800DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0 Dynamic dV/dt RatingQg (Max.) (nC) 78 Repetitive Avalanche RatedQgs (nC) 9.6 Fast SwitchingQgd (nC) 45 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requirem

 8.2. Size:1517K  vishay
 irfbe30 sihfbe30.pdf pdf_icon

SIHFBE20

IRFBE30, SiHFBE30Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 800Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 78COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 9.6Qgd (nC) 45 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHFBC30L , SIHFBC30S , SIHFBC40 , SIHFBC40A , SIHFBC40AS , SIHFBC40L , SIHFBC40LC , SIHFBC40S , K4145 , SIHFBE30 , SIHFBE30L , SIHFBE30S , SIHFBF20 , SIHFBF20L , SIHFBF20S , SIHFBF30 , SIHFBF30S .

 

 
Back to Top

 


 
.