SIHFBE20 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHFBE20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для SIHFBE20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFBE20 даташит

 ..1. Size:1072K  vishay
 irfbe20pbf sihfbe20.pdf pdf_icon

SIHFBE20

IRFBE20, SiHFBE20 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 800 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 6.5 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 38 COMPLIANT Ease of Paralleling Qgs (nC) 5.0 Qgd (nC) 21 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D

 ..2. Size:1069K  vishay
 irfbe20 sihfbe20.pdf pdf_icon

SIHFBE20

IRFBE20, SiHFBE20 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 800 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 6.5 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 38 COMPLIANT Ease of Paralleling Qgs (nC) 5.0 Qgd (nC) 21 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D

 8.1. Size:448K  vishay
 irfbe30s sihfbe30s irfbe30l sihfbe30l.pdf pdf_icon

SIHFBE20

IRFBE30S, SiHFBE30S, IRFBE30L, SiHFBE30L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 800 Definition RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.0 Dynamic dV/dt Rating Qg (Max.) (nC) 78 Repetitive Avalanche Rated Qgs (nC) 9.6 Fast Switching Qgd (nC) 45 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requirem

 8.2. Size:1517K  vishay
 irfbe30 sihfbe30.pdf pdf_icon

SIHFBE20

IRFBE30, SiHFBE30 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 800 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.0 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 78 COMPLIANT Ease of Paralleling Qgs (nC) 9.6 Qgd (nC) 45 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIHFBC30L, SIHFBC30S, SIHFBC40, SIHFBC40A, SIHFBC40AS, SIHFBC40L, SIHFBC40LC, SIHFBC40S, 2N7002, SIHFBE30, SIHFBE30L, SIHFBE30S, SIHFBF20, SIHFBF20L, SIHFBF20S, SIHFBF30, SIHFBF30S