SIHFBE20 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SIHFBE20 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SIHFBE20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 38 nC
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для SIHFBE20

SIHFBE20 Datasheet (PDF)

..1. Size:1072K vishay
irfbe20pbf sihfbe20.pdf

IRFBE20, SiHFBE20Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 800Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 6.5RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 38COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 5.0Qgd (nC) 21 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD

..2. Size:1069K vishay
irfbe20 sihfbe20.pdf

8.1. Size:448K vishay
irfbe30s sihfbe30s irfbe30l sihfbe30l.pdf

IRFBE30S, SiHFBE30S, IRFBE30L, SiHFBE30LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 800DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0 Dynamic dV/dt RatingQg (Max.) (nC) 78 Repetitive Avalanche RatedQgs (nC) 9.6 Fast SwitchingQgd (nC) 45 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requirem

8.2. Size:1517K vishay
irfbe30 sihfbe30.pdf

IRFBE30, SiHFBE30Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 800Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 78COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 9.6Qgd (nC) 45 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD

8.3. Size:473K vishay
sihfbe30l sihfbe30s.pdf