Справочник MOSFET. SIHFI510G

 

SIHFI510G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHFI510G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 81 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.54 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP
 

 Аналог (замена) для SIHFI510G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFI510G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1038K  vishay
 irfi510g irfi510gpbf sihfi510g.pdf pdf_icon

SIHFI510G

IRFI510G, SiHFI510GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Availablef = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = 10 V 0.54RoHS*COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 8.3 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 2.3 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 3.8 Low

 ..2. Size:1040K  vishay
 irfi510g sihfi510g.pdf pdf_icon

SIHFI510G

IRFI510G, SiHFI510GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Availablef = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = 10 V 0.54RoHS*COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 8.3 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 2.3 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 3.8 Low

 8.1. Size:1473K  vishay
 irfi540g sihfi540g.pdf pdf_icon

SIHFI510G

IRFI540G, SiHFI540GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.077 f = 60 Hz)RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 72COMPLIANT 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 11 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 32 Low T

 8.2. Size:932K  vishay
 irfi530g irfi530gpbf sihfi530g.pdf pdf_icon

SIHFI510G

IRFI530G, SiHFI530GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 100Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;f = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = 10 V 0.16RoHS*COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 33 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 5.4 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 15 Low T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHFD9010 , SIHFD9014 , SIHFD9024 , SIHFD9110 , SIHFD9120 , SIHFD9210 , SIHFD9220 , SIHFDC20 , 13N50 , SIHFI520G , SIHFI530G , SIHFI540G , SIHFI614G , SIHFI620G , SIHFI630G , SIHFI634G , SIHFI640G .

History: 20N03L-TO252 | 2SK520 | IXFA80N25X3 | STD65NF06 | MCAC20N15 | AFN8822 | EMP21N03HC

 

 
Back to Top

 


 
.