Справочник MOSFET. SIHFI634G

 

SIHFI634G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHFI634G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP
 

 Аналог (замена) для SIHFI634G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFI634G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1107K  vishay
 sihfi634g.pdf pdf_icon

SIHFI634G

IRFI634G, SiHFI634GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 250 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.45f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 41 COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 6.5 Dynamic dV/dt Rating Low Thermal ResistanceQgd (nC) 22 Lead (Pb)-fre

 ..2. Size:1106K  vishay
 irfi634g sihfi634g.pdf pdf_icon

SIHFI634G

IRFI634G, SiHFI634GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 250 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.45f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 41 COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 6.5 Dynamic dV/dt Rating Low Thermal ResistanceQgd (nC) 22 Lead (Pb)-fre

 7.1. Size:1541K  vishay
 irfi630g sihfi630g.pdf pdf_icon

SIHFI634G

IRFI630G, SiHFI630GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.40f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 43COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 7.0 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 23 Low Thermal ResistanceConfiguration S

 7.2. Size:1543K  vishay
 sihfi630g.pdf pdf_icon

SIHFI634G

IRFI630G, SiHFI630GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.40f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 43COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 7.0 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 23 Low Thermal ResistanceConfiguration S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHFDC20 , SIHFI510G , SIHFI520G , SIHFI530G , SIHFI540G , SIHFI614G , SIHFI620G , SIHFI630G , IRFB31N20D , SIHFI640G , SIHFI644G , SIHFI720G , SIHFI730G , SIHFI740G , SIHFI740GLC , SIHFI820G , SIHFI830G .

History: AM90N06-03B | DMN4026SSD

 

 
Back to Top

 


 
.