Справочник MOSFET. SIHFI9520G

 

SIHFI9520G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHFI9520G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP
 

 Аналог (замена) для SIHFI9520G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFI9520G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1446K  vishay
 irfi9520g sihfi9520g.pdf pdf_icon

SIHFI9520G

IRFI9520G, SiHFI9520GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.60f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 18 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmCOMPLIANTQgs (nC) 3.0 P-ChannelQgd (nC) 9.0 175 C Operating TemperatureConfiguration

 ..2. Size:1448K  vishay
 irfi9520g irfi9520gpbf sihfi9520g.pdf pdf_icon

SIHFI9520G

IRFI9520G, SiHFI9520GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.60f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 18 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmCOMPLIANTQgs (nC) 3.0 P-ChannelQgd (nC) 9.0 175 C Operating TemperatureConfiguration

 7.1. Size:1458K  vishay
 irfi9530g sihfi9530g.pdf pdf_icon

SIHFI9520G

IRFI9530G, SiHFI9530GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;Availablef = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = - 10 V 0.30RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 38 COMPLIANT P-ChannelQgs (nC) 6.8 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 21 Dynamic dV/

 7.2. Size:944K  vishay
 irfi9540g-pbf sihfi9540g.pdf pdf_icon

SIHFI9520G

IRFI9540G, SiHFI9540GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;Availablef = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = - 10 V 0.20RoHS* Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 61 COMPLIANT P-ChannelQgs (nC) 14 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 29 Dynamic dV/dt

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHFI720G , SIHFI730G , SIHFI740G , SIHFI740GLC , SIHFI820G , SIHFI830G , SIHFI840G , SIHFI840GLC , MMIS60R580P , SIHFI9530G , SIHFI9540G , SIHFI9610G , SIHFI9620G , SIHFI9630G , SIHFI9634G , SIHFI9640G , SIHFI9Z14G .

History: BLM04N08-B

 

 
Back to Top

 


 
.