SIHFI9634G datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SIHFI9634G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: TO-220FP
Аналог (замена) для SIHFI9634G
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SIHFI9634G даташит
irfi9634gpbf sihfi9634g.pdf
IRFI9634G, SiHFI9634G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Advanced Process Technology VDS (V) - 250 Dynamic dV/dt Rating RDS(on) ( )VGS = - 10 V 1.0 150 C Operating Temperature Qg (Max.) (nC) 38 Fast Switching Qgs (nC) 8.0 P-Channel Qgd (nC) 18 Fully Avalanche Rated Configuration Single Lead (Pb)-free Available S DESCRIPTION
irfi9634g sihfi9634g.pdf
IRFI9634G, SiHFI9634G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Advanced Process Technology VDS (V) - 250 Dynamic dV/dt Rating RDS(on) ( )VGS = - 10 V 1.0 150 C Operating Temperature Qg (Max.) (nC) 38 Fast Switching Qgs (nC) 8.0 P-Channel Qgd (nC) 18 Fully Avalanche Rated Configuration Single Lead (Pb)-free Available S DESCRIPTION
irfi9630gpbf sihfi9630g.pdf
IRFI9630G, SiHFI9630G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) - 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s, Available f = 60 Hz) RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.80 RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 29 COMPLIANT P-Channel Qgs (nC) 5.4 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 15 Low Thermal Resist
irfi9630g sihfi9630g.pdf
IRFI9630G, SiHFI9630G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) - 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s, Available f = 60 Hz) RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.80 RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 29 COMPLIANT P-Channel Qgs (nC) 5.4 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 15 Low Thermal Resist
Другие IGBT... SIHFI840G, SIHFI840GLC, SIHFI9520G, SIHFI9530G, SIHFI9540G, SIHFI9610G, SIHFI9620G, SIHFI9630G, IRFB7545, SIHFI9640G, SIHFI9Z14G, SIHFI9Z24G, SIHFI9Z34G, SIHFIB5N65A, SIHFIB6N60A, SIHFIB7N50A, SIHFIBC20G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM40N60KQ | ASDM40N40E | ASDM40N100P | ASDM40DN20E | ASDM3416EZA | ASDM3415ZA | ASDM3401ZA | ASDM3401 | ASDM3400ZA | ASDM30P30BE | RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ
Popular searches
bt137 datasheet | 2n2907a datasheet | irfz24n | bd135 | d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor










