Справочник MOSFET. SIHFP064

 

SIHFP064 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHFP064
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AC
 

 Аналог (замена) для SIHFP064

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFP064 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1684K  vishay
 irfp064 sihfp064.pdf pdf_icon

SIHFP064

IRFP064, SiHFP064Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60 Repetitive Avalanche Rated AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.009 Ultra Low On- ResistanceRoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 190 Very Low Thermal ResistanceQgs (nC) 55 Isolated Central Mounting HoleQgd (nC) 90 175 C Operating Temperature Fast Swi

 ..2. Size:1690K  vishay
 sihfp064.pdf pdf_icon

SIHFP064

IRFP064, SiHFP064Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60 Repetitive Avalanche Rated AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.009 Ultra Low On- ResistanceRoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 190 Very Low Thermal ResistanceQgs (nC) 55 Isolated Central Mounting HoleQgd (nC) 90 175 C Operating Temperature Fast Swi

 8.1. Size:1574K  vishay
 irfp048 sihfp048.pdf pdf_icon

SIHFP064

IRFP048, SiHFP048Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available Isolated Central Mounting HoleRDS(on) ()VGS = 10 V 0.018RoHS* 175 C Operating TemperatureCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 110 Ease of ParallelingQgs (nC) 29 Simple Drive RequirementsQgd (nC) 38 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConfi

 8.2. Size:1917K  vishay
 sihfp048r.pdf pdf_icon

SIHFP064

IRFP048R, SiHFP048RVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available Isolated Central Mounting HoleRDS(on) ()VGS = 10 V 0.018RoHS* 175 C Operating TemperatureCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 110 Ease of ParallelingQgs (nC) 29 Simple Drive RequirementsQgd (nC) 38 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECCon

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHFL110 , SIHFL210 , SIHFL214 , SIHFL9014 , SIHFL9110 , SIHFP048 , SIHFP048R , SIHFP054 , P55NF06 , SIHFP140 , SIHFP150 , SIHFP17N50L , SIHFP21N60L , SIHFP22N50A , SIHFP22N60K , IRF7606PBF , IRF7607PBF .

History: 2SK3479-Z | 2SK3600-01SJ | 11NM70G-TF1-T | STS5NF60L | 2SK2713 | 2SK4067I | UT100N03G-TF3-T

 

 
Back to Top

 


 
.