SIHFP064 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHFP064

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO-247AC

Аналог (замена) для SIHFP064

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFP064 даташит

 ..1. Size:1684K  vishay
 irfp064 sihfp064.pdf pdf_icon

SIHFP064

IRFP064, SiHFP064 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 60 Repetitive Avalanche Rated Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.009 Ultra Low On- Resistance RoHS* COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 190 Very Low Thermal Resistance Qgs (nC) 55 Isolated Central Mounting Hole Qgd (nC) 90 175 C Operating Temperature Fast Swi

 ..2. Size:1690K  vishay
 sihfp064.pdf pdf_icon

SIHFP064

IRFP064, SiHFP064 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 60 Repetitive Avalanche Rated Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.009 Ultra Low On- Resistance RoHS* COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 190 Very Low Thermal Resistance Qgs (nC) 55 Isolated Central Mounting Hole Qgd (nC) 90 175 C Operating Temperature Fast Swi

 8.1. Size:1574K  vishay
 irfp048 sihfp048.pdf pdf_icon

SIHFP064

IRFP048, SiHFP048 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 60 Available Isolated Central Mounting Hole RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.018 RoHS* 175 C Operating Temperature COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 110 Ease of Paralleling Qgs (nC) 29 Simple Drive Requirements Qgd (nC) 38 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Confi

 8.2. Size:1917K  vishay
 sihfp048r.pdf pdf_icon

SIHFP064

IRFP048R, SiHFP048R Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 60 Available Isolated Central Mounting Hole RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.018 RoHS* 175 C Operating Temperature COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 110 Ease of Paralleling Qgs (nC) 29 Simple Drive Requirements Qgd (nC) 38 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Con

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIHFL110, SIHFL210, SIHFL214, SIHFL9014, SIHFL9110, SIHFP048, SIHFP048R, SIHFP054, IRF3710, SIHFP140, SIHFP150, SIHFP17N50L, SIHFP21N60L, SIHFP22N50A, SIHFP22N60K, IRF7606PBF, IRF7607PBF