IRL610A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRL610A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для IRL610A
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRL610A даташит
irl610a.pdf
Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 200 V Logic-Level Gate Drive RDS(on) = 1.5 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 3.3 A Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 200V Lower RDS(ON) 1.185 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings
irlz1x irlz2x irlz3x irlz4x irl51x irl52x irl53x irl54x irl61x irl62x irl63x irl64x.pdf
Другие MOSFET... IRL540 , IRL540A , IRL540N , IRL540NL , IRL540NS , IRL541 , IRL5602S , IRL610 , STF13NM60N , IRL611 , IRL620 , IRL620A , IRL620S , IRL621 , IRL630 , IRL630A , IRL630S .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
60n60 mosfet | 2sc2412 | 2sc372 | 2sd400 datasheet | k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet