Справочник MOSFET. IRL610A

 

IRL610A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRL610A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 6.1 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IRL610A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRL610A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:900K  samsung
 irl610a.pdf pdf_icon

IRL610A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 200 V Logic-Level Gate DriveRDS(on) = 1.5 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 3.3 A Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V Lower RDS(ON) : 1.185 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Ratings

 8.1. Size:186K  1
 irl610.pdf pdf_icon

IRL610A

 9.1. Size:18K  samsung
 irlz1x irlz2x irlz3x irlz4x irl51x irl52x irl53x irl54x irl61x irl62x irl63x irl64x.pdf pdf_icon

IRL610A

Другие MOSFET... IRL540 , IRL540A , IRL540N , IRL540NL , IRL540NS , IRL541 , IRL5602S , IRL610 , IRF2807 , IRL611 , IRL620 , IRL620A , IRL620S , IRL621 , IRL630 , IRL630A , IRL630S .

History: IXTP1R6N50D2

 

 
Back to Top

 


 
.