SIHFP150 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SIHFP150
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
Тип корпуса: TO-247AC
Аналог (замена) для SIHFP150
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SIHFP150 даташит
irfp150 sihfp150.pdf
IRFP150, SiHFP150 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 100 Repetitive Avalanche Rated Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.055 Isolated Central Mounting Hole RoHS* Qg (Max.) (nC) 140 175 C Operating Temperature COMPLIANT Qgs (nC) 29 Fast Switching Qgd (nC) 68 Ease of Paralleling Configuration Single S
sihfp150.pdf
IRFP150, SiHFP150 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 100 Repetitive Avalanche Rated Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.055 Isolated Central Mounting Hole RoHS* Qg (Max.) (nC) 140 175 C Operating Temperature COMPLIANT Qgs (nC) 29 Fast Switching Qgd (nC) 68 Ease of Paralleling Configuration Single S
irfp17n50l sihfp17n50l.pdf
IRFP17N50L, SiHFP17N50L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY SuperFast Body Diode Eliminates the Need VDS (V) 500 Available For External Diodes in ZVS Applications RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.28 RoHS* Low Gate Charge Results in Simple Drive Qg (Max.) (nC) 130 COMPLIANT Requirement Qgs (nC) 33 Enhanced dV/dt Capabilities Offer Improved Qgd (nC) 59 Rugg
irfp17n50l irfp17n50lpbf sihfp17n50l.pdf
IRFP17N50L, SiHFP17N50L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY SuperFast Body Diode Eliminates the Need VDS (V) 500 Available For External Diodes in ZVS Applications RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.28 RoHS* Low Gate Charge Results in Simple Drive Qg (Max.) (nC) 130 COMPLIANT Requirement Qgs (nC) 33 Enhanced dV/dt Capabilities Offer Improved Qgd (nC) 59 Rugg
Другие IGBT... SIHFL214, SIHFL9014, SIHFL9110, SIHFP048, SIHFP048R, SIHFP054, SIHFP064, SIHFP140, AON6414A, SIHFP17N50L, SIHFP21N60L, SIHFP22N50A, SIHFP22N60K, IRF7606PBF, IRF7607PBF, IRF7663PBF, IRF7665S2TR1PBF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM40N60KQ | ASDM40N40E | ASDM40N100P | ASDM40DN20E | ASDM3416EZA | ASDM3415ZA | ASDM3401ZA | ASDM3401 | ASDM3400ZA | ASDM30P30BE | RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ
Popular searches
irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75






