Справочник MOSFET. IRF7665S2TRPBF

 

IRF7665S2TRPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF7665S2TRPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 112 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.051 Ohm
   Тип корпуса: DIRECTFET

 Аналог (замена) для IRF7665S2TRPBF

 

 

IRF7665S2TRPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  international rectifier
 irf7665s2tr1pbf irf7665s2trpbf.pdf

IRF7665S2TRPBF IRF7665S2TRPBF

PD - 96239DIGITAL AUDIO MOSFETIRF7665S2TRPbFIRF7665S2TR1PbFFeatures Key Parameters Key parameters optimized for Class-D audio amplifierVDS100 V applicationsRDS(on) typ. @ VGS = 10V 51 m Low RDS(on) for improved efficiency Low Qg for better THD and improved efficiencyQg typ.8.3 nC Low Qrr for better THD and lower EMI RG(int) typ.3.5 Low package st

 3.1. Size:326K  international rectifier
 auirf7665s2tr.pdf

IRF7665S2TRPBF IRF7665S2TRPBF

PD - 96286BAUIRF7665S2TRAUTOMOTIVE GRADEAUIRF7665S2TR1DirectFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyV(BR)DSS100V Optimized for Class D Audio Amplifier Applications Low Rds(on) for Improved Efficiency RDS(on) typ.51m Low Qg for Better THD and Improved Efficiencymax. 62m Low Qrr for Better THD and Lower EMIRG (typical)3.5 Low P

 3.2. Size:474K  infineon
 auirf7665s2tr.pdf

IRF7665S2TRPBF IRF7665S2TRPBF

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7665S2TR Automotive DirectFET Power MOSFET Advanced Process Technology V(BR)DSS 100V Optimized for Class D Audio Amplifier Applications Low Rds(on) for Improved Efficiency RDS(on) typ. 51m Low Qg for Better THD and Improved Efficiency max. 62m Low Qrr for Better THD and Lower EMI RG (typical) 3.5 Low Parasiti

 5.1. Size:247K  international rectifier
 irf7665s2pbf.pdf

IRF7665S2TRPBF IRF7665S2TRPBF

PD - 96239DIGITAL AUDIO MOSFETIRF7665S2TRPbFIRF7665S2TR1PbFFeatures Key Parameters Key parameters optimized for Class-D audio amplifierVDS100 V applicationsRDS(on) typ. @ VGS = 10V 51 m Low RDS(on) for improved efficiency Low Qg for better THD and improved efficiencyQg typ.8.3 nC Low Qrr for better THD and lower EMI RG(int) typ.3.5 Low package st

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top