IRL611 - описание и поиск аналогов

 

IRL611. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRL611

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IRL611

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRL611 даташит

 9.1. Size:186K  1
 irl610.pdf pdf_icon

IRL611

 9.2. Size:900K  samsung
 irl610a.pdf pdf_icon

IRL611

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 200 V Logic-Level Gate Drive RDS(on) = 1.5 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 3.3 A Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 200V Lower RDS(ON) 1.185 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings

 9.3. Size:18K  samsung
 irlz1x irlz2x irlz3x irlz4x irl51x irl52x irl53x irl54x irl61x irl62x irl63x irl64x.pdf pdf_icon

IRL611

Другие MOSFET... IRL540A , IRL540N , IRL540NL , IRL540NS , IRL541 , IRL5602S , IRL610 , IRL610A , IRFZ24N , IRL620 , IRL620A , IRL620S , IRL621 , IRL630 , IRL630A , IRL630S , IRL631 .

History: STP60NF03L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.