Справочник MOSFET. IRL611

 

IRL611 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRL611
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRL611 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:186K  1
 irl610.pdf pdf_icon

IRL611

 9.2. Size:900K  samsung
 irl610a.pdf pdf_icon

IRL611

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 200 V Logic-Level Gate DriveRDS(on) = 1.5 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 3.3 A Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V Lower RDS(ON) : 1.185 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Ratings

 9.3. Size:18K  samsung
 irlz1x irlz2x irlz3x irlz4x irl51x irl52x irl53x irl54x irl61x irl62x irl63x irl64x.pdf pdf_icon

IRL611

Другие MOSFET... IRL540A , IRL540N , IRL540NL , IRL540NS , IRL541 , IRL5602S , IRL610 , IRL610A , MMIS60R580P , IRL620 , IRL620A , IRL620S , IRL621 , IRL630 , IRL630A , IRL630S , IRL631 .

History: SE4060 | ZXMN0545G4 | IPA600N25NM3S

 

 
Back to Top

 


 
.