IRL620. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRL620
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 91 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для IRL620
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRL620 даташит
irl620.pdf
PD -9.1217 IRL620 HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated VDSS = 200V Logic-Level Gate Drive RDS(ON) Specified at VGS = 4V & 5V RDS(on) = 0.80 Fast Switching Ease of paralleling Simple Drive Requirements ID = 5.2A Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, rug
irl620pbf.pdf
PD- 95670 IRL620PbF Lead-Free 8/2/04 Document Number 91301 www.vishay.com 1 IRL620PbF Document Number 91301 www.vishay.com 2 IRL620PbF Document Number 91301 www.vishay.com 3 IRL620PbF Document Number 91301 www.vishay.com 4 IRL620PbF Document Number 91301 www.vishay.com 5 IRL620PbF Document Number 91301 www.vishay.com 6 IRL620PbF Document Number 91301 www.v
irl620 sihl620.pdf
IRL620, SiHL620 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 200 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.80 RoHS* Logic-Level Gate Drive COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 16 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Qgs (nC) 2.7 Fast Switching Qgd (nC) 9.6 Ease of paralleling Configuration Single
irl620pbf sihl620.pdf
IRL620, SiHL620 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 200 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.80 RoHS* Logic-Level Gate Drive COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 16 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Qgs (nC) 2.7 Fast Switching Qgd (nC) 9.6 Ease of paralleling Configuration Single
Другие MOSFET... IRL540N , IRL540NL , IRL540NS , IRL541 , IRL5602S , IRL610 , IRL610A , IRL611 , 2N60 , IRL620A , IRL620S , IRL621 , IRL630 , IRL630A , IRL630S , IRL631 , IRL640 .
History: CDM7-650
History: CDM7-650
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
2sc372 | 2sd400 datasheet | k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n










