IRF7834PBF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF7834PBF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 810 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRF7834PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7834PBF даташит

 ..1. Size:189K  international rectifier
irf7834pbf.pdfpdf_icon

IRF7834PBF

PD - 95292 IRF7834PbF HEXFET Power MOSFET Applications l Synchronous MOSFET for Notebook VDSS RDS(on) max Qg (typ.) Processor Power 4.5m @VGS = 10V 30V 29nC l Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems A l Lead-Free A 1 8 S D 2 7 S D Benefits 3 6 S D l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 4 5 G D l Ultra-Low Gate Impedance l Fully Chara

 7.1. Size:207K  international rectifier
irf7834.pdfpdf_icon

IRF7834PBF

PD - 94761 IRF7834 HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max Qg (typ.) l Synchronous MOSFET for Notebook 4.5m @VGS = 10V 30V 29nC Processor Power l Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems A A 1 8 S D Benefits 2 7 S D l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 3 6 S D l Ultra-Low Gate Impedance 4 5 G D l Fully Characterized Avalanc

 7.2. Size:865K  cn vbsemi
irf7834trpbf.pdfpdf_icon

IRF7834PBF

IRF7834TRPBF www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.004 at VGS = 10 V 18 30 6.8 nC Optimized for High-Side Synchronous 0.005 at VGS = 4.5 V 16 Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Notebook CPU Core - High-Side Switc

 8.1. Size:262K  international rectifier
irf7832pbf.pdfpdf_icon

IRF7834PBF

PD - 95016A IRF7832PbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max Qg l Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power 4.0m @VGS = 10V 30V 34nC l Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems A A 1 8 S D l Lead-Free 2 7 S D Benefits 3 6 S D l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 4 5 G D l Ultra-Low Gate Impedance SO-8 l Fully Chara

Другие IGBT... IRF7821PBF-1, IRF7822PBF, IRF7822, IRF7828PBF, IRF7831PBF, IRF7832PBF, IRF7832PBF-1, IRF7832Z, 75N75, IRF7842PBF, IRF7853PBF, IRF7854PBF, IRF7855PBF, IRF7862PBF, IRF7902PBF, IRF7904PBF, IRF7904PBF-1